在deckbld中进行p型硅衬底杂质浓度为1e16 磷注入 剂量为1e15 能量60 倾角7度的离子注入的代码

DeckBld是一个半导体器件建模软件，用于模拟各种工艺步骤，包括离子注入。在DeckBld中描述这样的离子注入过程通常涉及特定的指令集，下面是一个简化的示例，展示了如何在DeckBld脚本中设置这种磷(P)离子注入的参数：

; Start of the simulation block
Region silicon {
    Material "Silicon" {
        ImpurityConcentration P "1e16/cm^3" ; 硼杂质浓度
    }
}

IonImplant {
    Name "Phosphorus Ion Implantation"
    Type "P"                  ; 离子类型 - 磷
    Dose "1e15/cm^2"          ; 离子剂量
    Energy "60 eV"           ; 离子能量
    Angle "7 degrees"         ; 注入角度
    Into "silicon"            ; 注入到硅区域
    DepthDependent "yes"      ; 可能需要指定注入深度依赖性
    Profile "uniform"         ; 假设均匀注入，实际可能有更复杂的分布
}

; End of the simulation block

请注意，这只是一个基本的框架，并非真实的DeckBld语法。实际编写时，您需要确认DeckBld的具体语法、是否支持这些参数以及是否有额外的配置选项。此外，