MOSFETdv/dt
时间: 2023-10-28 17:07:16 浏览: 249
MOSFET的dv/dt是指MOSFET开关时,开关管上下电压变化的速率。dv/dt过高会导致开关管产生电压尖峰,从而产生电磁干扰和噪声,甚至会损坏开关管。因此,降低MOSFET的dv/dt是非常重要的。可以通过提高MOSFET寄生电容Cgd、Cgs、Cds和增大驱动电阻值Rg来降低dv/dt。在MOSFET选型中,MOSFET的Coss、Ciss、Crss参数特性,也会影响开关尖峰大小。但是,较高的Cgd会导致增加开关损耗,从而降低MOSFET效率并且会提高其温升。因此,在提高Cgd时需要注意驱动电流也会大幅增加,驱动器可能会因瞬间电流过大而烧毁,建议不要轻易添加Cgd。
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