首页void ChipErase(void) { *(FlashStart + 0x5555) = 0xAAAA; *(FlashStart + 0x2AAA) = 0x5555; *(FlashStart + 0x5555) = 0x8080; *(FlashStart + 0x5555) = 0xAAAA; *(FlashStart + 0x2AAA) = 0x5555; *(FlashStart + 0x5555) = 0x1010; } 解释这段CCS的代码

void ChipErase(void) { (FlashStart + 0x5555) = 0xAAAA; (FlashStart + 0x2AAA) = 0x5555; (FlashStart + 0x5555) = 0x8080; (FlashStart + 0x5555) = 0xAAAA; (FlashStart + 0x2AAA) = 0x5555; (FlashStart + 0x5555) = 0x1010; } 解释这段CCS的代码

时间: 2024-03-15 17:43:26 浏览: 102

DSP 28335 NOR_FLASH擦写实验程序外部flash 39VF400A

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// Definitions for the SST 39VF400A part #define SST_ID 0x00BF /* SST Manufacturer's ID code */ #define SST_39VF400A 0x2780 /* SST39VF400/SST39VF400A device code */ #define SST_39VF800A 0x2781 /* SST39VF800/SST39VF800A device code */ #define TimeOutErr 1 #define VerifyErr 2 #define WriteOK 0 #define EraseErr 3 #define EraseOK 0 #define SectorSize 0x800 #define BlockSize 0x8000 unsigned int *FlashStart = (unsigned int *)0x100000;//RAML6 unsigned int *DSPRamStart = (unsigned int *)0x00F000; //RAML6前半部分 unsigned int *DSPRamStart2 = (unsigned int *)0x00F800; //RAML6的后半部分

这段 CCS (Code Composer Studio) 代码实现了芯片擦除的功能。具体来说，这段代码使用了类似于 Flash 内存编程器的方式，将特定的数据写入特定的地址，以触发芯片内部的擦除操作。首先，通过写入地址 0x5555，将数据 0xAAAA 写入该地址，然后再通过写入地址 0x2AAA，将数据 0x5555 写入该地址。这两步操作是为了进入 Flash 内存编程模式。接下来，再次通过写入地址 0x5555，将数据 0x8080 写入该地址，然后再次通过写入地址 0x5555，将数据 0xAAAA 写入该地址，最后再通过写入地址 0x2AAA，将数据 0x5555 写入该地址。这三步操作是为了执行芯片的擦除操作。最后，通过写入地址 0x5555，将数据 0x1010 写入该地址，以退出 Flash 内存编程模式。

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