void flash_erase_range(uint32_t start_address, uint32_t end_address) { uint32_t flash_address = start_address; while (flash_address <= end_address) { volatile uint16_t *flash = (volatile uint16_t *)flash_address; flash[0x5555] = 0xAAAA; flash[0x2AAA] = 0x5555; flash[0x5555] = 0x8080; flash[0x5555] = 0xAAAA; flash[0x2AAA] = 0x5555; flash[0x0000] = 0x3030; __disable_irq(); delay_us(40000); __enable_irq(); flash_address += SectorSize; } } // 擦除0x200000到0x200005 void erase_flash_range() { uint32_t start_address = 0x200000; uint32_t end_address = 0x200005; flash_erase_range(start_address, end_address); }逐句解释代码
时间: 2024-03-16 18:46:53 浏览: 60
这段代码是用来擦除某一范围内的Flash存储器中的数据。下面是对代码的逐句解释:
```c
void flash_erase_range(uint32_t start_address, uint32_t end_address) {
```
定义一个名为`flash_erase_range`的函数,该函数接受两个参数`start_address`和`end_address`,分别表示需要擦除的Flash存储器的起始地址和结束地址。
```c
uint32_t flash_address = start_address;
```
定义一个名为`flash_address`的无符号32位整数变量,并将其初始化为`start_address`。
```c
while (flash_address <= end_address) {
```
使用一个`while`循环遍历需要擦除的Flash存储器的地址范围。
```c
volatile uint16_t *flash = (volatile uint16_t *)flash_address;
```
定义一个名为`flash`的指向`volatile uint16_t`类型的指针,并将其指向`flash_address`所表示的地址。
```c
flash[0x5555] = 0xAAAA;
flash[0x2AAA] = 0x5555;
flash[0x5555] = 0x8080;
flash[0x5555] = 0xAAAA;
flash[0x2AAA] = 0x5555;
flash[0x0000] = 0x3030;
```
这几行代码是用来擦除Flash存储器的数据,其具体实现原理和细节可以参考相关的数据手册和文档。
```c
__disable_irq();
delay_us(40000);
__enable_irq();
```
这三行代码是用来关闭中断、延时40000微秒(40毫秒),再开启中断。这么做是为了确保Flash存储器的数据已经被正确擦除。
```c
flash_address += SectorSize;
```
将`flash_address`的值增加`SectorSize`的大小,以便遍历下一个Flash存储器的地址范围。
```c
}
```
`while`循环的结束标志。
```c
void erase_flash_range() {
```
定义一个名为`erase_flash_range`的函数,该函数没有任何参数。
```c
uint32_t start_address = 0x200000;
uint32_t end_address = 0x200005;
```
定义两个无符号32位整数变量`start_address`和`end_address`,并将它们分别初始化为0x200000和0x200005,表示需要擦除的地址范围为0x200000到0x200005。
```c
flash_erase_range(start_address, end_address);
```
调用`flash_erase_range`函数,并传递`start_address`和`end_address`作为参数,执行擦除操作。
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