flask写api接口设置最大并发数

在Flask框架中，可以通过配置gunicorn服务器来设置API接口的最大并发数。Gunicorn是一个基于Python的WSGI HTTP服务器，可以作为Flask应用的生产级服务器。

首先，需要安装gunicorn依赖包，可以使用pip安装：

pip install gunicorn

接下来，在项目的根目录下创建一个名为`app.wsgi`的文件，内容如下：

from app import app

if __name__ == "__main__":
    app.run()

然后，可以在命令行中使用以下命令启动gunicorn服务器：

gunicorn -w <最大并发数> app:app

其中，`<最大并发数>`是你希望设置的最大并发数，可以根据你的实际需求进行调整。

通过上述配置，gunicorn服务器将以多个worker进程的方式运行，每个进程可以处理一个请求，从而达到并发处理的效果。最大并发数决定了同时可以处理的请求数量。

需要注意的是，默认情况下，Flask框架是单线程运行的，因此在处理请求时可能会存在性能瓶颈。如果需要进一步提升并发处理能力，可以考虑使用异步处理库如gevent或asyncio，并适配到Flask框架中，以实现更高效的并发处理。

相关问题

STM32f103内部FLASH读写保护设置流程

STM32F103内部FLASH读写保护设置流程如下：

1. 在系统时钟配置中，使能FLASH读写保护时钟。

2. 编写函数来设置FLASH读写保护。可以使用以下代码：

void FLASH_If_WriteProtectionConfig(uint32_t protectionstate)
{
  FLASH_OBProgramInitTypeDef OBInit;
  HAL_StatusTypeDef result = HAL_OK;
  HAL_FLASH_Unlock();

  /* Clear OPTVERR bit set on virgin samples */
  __HAL_FLASH_CLEAR_FLAG(FLASH_FLAG_OPTVERR);

  /* Get the Dual boot configuration status */
  HAL_FLASHEx_OBGetConfig(&OBInit);

  /* The user is allowed to change the protection status */
  if ((OBInit.USERConfig & FLASH_OPTR_WRP_SECTOR) != protectionstate)
  {
    /* Modify the parameter data */
    if (protectionstate == FLASH_PROTECTION_DISABLE)
    {
      OBInit.OptionType = OPTIONBYTE_WRP;
      OBInit.WRPSector = FLASH_WRPSector_AllPages;
      OBInit.WRPState = OB_WRPSTATE_DISABLE;
    }
    else
    {
      OBInit.OptionType = OPTIONBYTE_WRP;
      OBInit.WRPSector = FLASH_WRPSector_AllPages;
      OBInit.WRPState = OB_WRPSTATE_ENABLE;
    }

    /* Launch the option byte loading */
    result = HAL_FLASHEx_OBProgram(&OBInit);

    /* Check if the option byte loading has succeeded */
    if (result == HAL_OK)
    {
      /* Check if the programmed data is OK */
      if ((OBInit.USERConfig & FLASH_OPTR_WRP_SECTOR) != protectionstate)
      {
        /* Error occurred while writing data in Flash memory */
        result = HAL_ERROR;
      }
    }
  }

  /* Locks the FLASH */
  HAL_FLASH_Lock();

  /* Return the protection operation status */
  if (result == HAL_OK)
  {
    return FLASHIF_OK;
  }
  else
  {
    return FLASHIF_FAIL;
  }
}

3. 在主函数中调用该函数，以设置FLASH读写保护。例如，要禁用FLASH读写保护，请使用以下代码：

FLASH_If_WriteProtectionConfig(FLASH_PROTECTION_DISABLE);

4. 在编译和下载代码之前，确保将选项字节设置为与应用程序兼容的值。

以上就是STM32F103内部FLASH读写保护设置的流程。

通过SDIO接口读写FLASH存储设备的测试代码

您好！以下是一个简单的示例代码，用于通过SDIO接口读写FLASH存储设备：

#include <stm32f4xx.h>
#include <stdio.h>

// 定义SDIO接口的相关寄存器地址
#define SDIO_BASE_ADDR 0x40012C00
#define SDIO_POWER ((volatile uint32_t *)(SDIO_BASE_ADDR + 0x00))
#define SDIO_CLKCR ((volatile uint32_t *)(SDIO_BASE_ADDR + 0x04))
#define SDIO_ARG ((volatile uint32_t *)(SDIO_BASE_ADDR + 0x08))
#define SDIO_CMD ((volatile uint32_t *)(SDIO_BASE_ADDR + 0x0C))
#define SDIO_RESPCMD ((volatile uint32_t *)(SDIO_BASE_ADDR + 0x10))
#define SDIO_RESP1 ((volatile uint32_t *)(SDIO_BASE_ADDR + 0x14))
#define SDIO_RESP2 ((volatile uint32_t *)(SDIO_BASE_ADDR + 0x18))
#define SDIO_RESP3 ((volatile uint32_t *)(SDIO_BASE_ADDR + 0x1C))
#define SDIO_RESP4 ((volatile uint32_t *)(SDIO_BASE_ADDR + 0x20))
#define SDIO_DTIMER ((volatile uint32_t *)(SDIO_BASE_ADDR + 0x24))
#define SDIO_DLEN ((volatile uint32_t *)(SDIO_BASE_ADDR + 0x28))
#define SDIO_DCTRL ((volatile uint32_t *)(SDIO_BASE_ADDR + 0x2C))
#define SDIO_DCOUNT ((volatile uint32_t *)(SDIO_BASE_ADDR + 0x30))
#define SDIO_STA ((volatile uint32_t *)(SDIO_BASE_ADDR + 0x34))
#define SDIO_ICR ((volatile uint32_t *)(SDIO_BASE_ADDR + 0x38))
#define SDIO_MASK ((volatile uint32_t *)(SDIO_BASE_ADDR + 0x3C))

// 定义FLASH存储设备的参数
#define FLASH_BLOCK_SIZE 512 // 块大小为512字节

// 初始化SDIO接口
void SDIO_Init(void) {
    // 配置SDIO时钟
    *SDIO_CLKCR = 0x00000000; // 设置时钟为禁止状态
    *SDIO_CLKCR |= (0x76 << 6); // 设置时钟分频系数，这里假设SDIO时钟为48MHz

    // 使能SDIO电源
    *SDIO_POWER |= (1 << 0); // 使能SDIO电源
    for (volatile int i = 0; i < 200; i++) {} // 等待电源稳定
}

// 发送SDIO命令
void SDIO_SendCommand(uint32_t cmd, uint32_t arg) {
    *SDIO_CMD = 0x00000000; // 清除命令寄存器

    *SDIO_ARG = arg; // 设置命令参数
    *SDIO_CMD |= (cmd << 6); // 设置命令索引

    while ((*SDIO_STA & (1 << 6)) == 0) {} // 等待命令传输完成
}

// 读取SDIO响应
uint32_t SDIO_GetResponse(uint32_t responseNum) {
    switch (responseNum) {
        case 1:
            return *SDIO_RESP1;
        case 2:
            return *SDIO_RESP2;
        case 3:
            return *SDIO_RESP3;
        case 4:
            return *SDIO_RESP4;
        default:
            return 0;
    }
}

// 读取FLASH存储设备
void SDIO_ReadFlash(uint32_t blockNum, uint8_t *buffer) {
    uint32_t addr = blockNum * FLASH_BLOCK_SIZE;

    // 配置数据传输
    *SDIO_DTIMER = 0x00000000; // 清除数据传输计时器
    *SDIO_DLEN = FLASH_BLOCK_SIZE; // 设置数据长度为块大小
    *SDIO_DCTRL = (2 << 4) | (1 << 11) | (1 << 19); // 设置数据传输参数

    // 发送读命令
    SDIO_SendCommand(17, addr);

    // 等待数据传输完成
    while ((*SDIO_STA & (1 << 10)) == 0) {} // 等待数据传输完成

    // 读取数据
    for (int i = 0; i < FLASH_BLOCK_SIZE; i++) {
        buffer[i] = (*SDIO_FIFO);
    }
}

// 写入FLASH存储设备
void SDIO_WriteFlash(uint32_t blockNum, const uint8_t *buffer) {
    uint32_t addr = blockNum * FLASH_BLOCK_SIZE;

    // 配置数据传输
    *SDIO_DTIMER = 0x00000000; // 清除数据传输计时器
    *SDIO_DLEN = FLASH_BLOCK_SIZE; // 设置数据长度为块大小
    *SDIO_DCTRL = (2 << 4) | (1 << 11) | (1 << 19) | (1 << 21); // 设置数据传输参数

    // 发送写命令
    SDIO_SendCommand(24, addr);

    // 等待数据传输完成
    while ((*SDIO_STA & (1 << 10)) == 0) {} // 等待数据传输完成

    // 写入数据
    for (int i = 0; i < FLASH_BLOCK_SIZE; i++) {
        *SDIO_FIFO = buffer[i];
    }
}

int main(void) {
    SDIO_Init(); // 初始化SDIO接口

    // 读取FLASH存储设备示例
    uint8_t readBuffer[FLASH_BLOCK_SIZE];
    SDIO_ReadFlash(0, readBuffer);
    printf("Read data: ");
    for (int i = 0; i < FLASH_BLOCK_SIZE; i++) {
        printf("%02X ", readBuffer[i]);
    }
    printf("\n");

    // 写入FLASH存储设备示例
    uint8_t writeBuffer[FLASH_BLOCK_SIZE] = {0xAA, 0xBB, 0xCC, 0xDD, 0xEE, 0xFF};
    SDIO_WriteFlash(0, writeBuffer);
    printf("Write complete.\n");

    while (1) {}
}

请注意，上述代码仅为示例，具体的配置和操作可能会根据您的具体硬件平台和需求而有所不同。在实际使用时，还需要根据您的SDIO和FLASH存储设备的规格书进行适当的配置和操作。

希望对您有所帮助！