GC32F103 FLASH模拟EEPROM 代码
时间: 2024-09-19 09:00:48 浏览: 27
GC32F103是一款基于Arm Cortex-M4架构的微控制器,它内置了FLASH(闪存)作为数据存储器,同时也支持模拟EEPROM(电可擦除只读存储器)的功能。在使用这种微控制器时,通过编程可以将部分FLASH区域模拟成EEPROM的行为,以实现非易失性的数据存储。
在编写模拟EEPROM的代码时,通常需要以下几个步骤:
1. **初始化**: 首先,你需要配置相应的寄存器来指示哪些Flash区域用于模拟EEPROM。这可能涉及到设置特定地址范围为只读模式,并禁止自动刷新操作。
```c
// 示例初始化代码
RCC_APB1PeriphClockCmd(RCC_AHB1Periph_FLASH, ENABLE); // 开启Flash总线时钟
FLASH_ACR |= (FLASH_ACR_LATency_5 | FLASH_ACR_PCS_NOR); // 设置访问速度和存储类型为Nor Flash
FLASH_EraseSector(eraseAddr); // 擦除指定的模拟EEPROM区段
```
2. **读取与写入**: 对于读取,直接从模拟EEPROM的地址读取即可;对于写入,由于是模拟,不会像真正的EEPROM那样有原子操作,因此可能需要额外的处理,比如先写入,然后更新映射表表示该位置已写入。
```c
uint8_t readFromSimulatedEEPROM(uint32_t addr) {
return *((volatile uint8_t *)(addr)); // 从Flash地址读取数据
}
void writeToSimulatedEEPROM(uint32_t addr, uint8_t data) {
*((volatile uint8_t *)(addr)) = data; // 写入数据到Flash地址
// 更新映射表或其他同步机制,确保数据持久化
}
```
3. **错误检测和管理**: 如果模拟过程中发生错误(例如地址越界或写入失败),需要添加适当的错误检查和处理代码。
```c
bool writeToSimulatedEEPROM(uint32_t addr, uint8_t data, bool *success) {
if (addr < eeprom_start_addr || addr >= eeprom_end_addr) {
*success = false;
return false;
}
// ... 实现写操作,如果成功则*success = true;
return true;
}
```