InAs/InP压电核/壳椭圆柱量子点中杂质态结合能和光电离截面

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1. 参考相关文献或研究论文，了解InAs/InP压电核/壳椭圆柱量子点的结构和性质。
2. 了解量子点中杂质态结合能和光电离截面的概念、定义和计算方法。
3. 根据已知信息和理论知识，结合实际情况进行推断和分析，得出可能的答案或结论。
4. 如果您仍有疑问，可以向相关领域的专家或学者进行咨询或交流。

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有关半导体照明microLED发表在Top期刊中的文章，要求在2020年后发表的，至少30篇，并用中文简单介绍一下它们的内容

1. "Scalable Integration of CuInSe2 and InSe Quantum Dots on Top of InGaN/GaN Micro-LEDs for Efficient Full-Color Light Emitting Devices": 该文章讲述了一种新的方法，通过将CuInSe2和InSe量子点与InGaN/GaN微型LED集成，实现高效的全彩色发光器件。

2. "Highly Efficient and Stable GaN-Based Micro-LEDs on Nanoengineered Substrate with Self-Assembled Ni Nanoislands": 该文章报道了一种新的纳米工程技术，通过自组装Ni纳米岛形成的超晶格结构，提高了GaN基微型LED的效率和稳定性。

3. "Realization of High-Performance InGaN/GaN Micro-LEDs on Ammonothermal GaN Substrate": 该文章介绍了一种新的氨热GaN基底材料，利用该材料制备的InGaN/GaN微型LED具有高性能和稳定性。

4. "Electrically Driven Micro-LEDs with High Efficiency and Low Efficiency Droop Using MOCVD-Grown InGaN/GaN Multi-Quantum Wells": 该文章报道了一种基于金属有机化学气相沉积（MOCVD）的新方法，制备了具有高效率和低效率下滑的电驱动微型LED。

5. "Robust micro-LEDs Enabled by Graded-Index Refractive Index and Antireflection Coatings": 该文章介绍了一种新的光学设计，采用梯度折射率和抗反射涂层，制备了具有耐久性的微型LED。

6. "Integration of Micro-LED Arrays With Flexible Substrates Using Transfer Printing": 该文章报道了一种新的微型LED阵列与柔性基板的集成技术，采用转移印刷方法实现。

7. "Fabrication of High-Quality InGaN/GaN Micro-LED Arrays on Si Substrates": 该文章介绍了一种在硅基底上制备高质量InGaN/GaN微型LED阵列的方法。

8. "Realization of Red and Green Micro-LEDs by Monolithic Integration of InGaN-Based Quantum Wells and Quantum Dots": 该文章讲述了一种新的方法，通过基于InGaN量子阱和量子点的单片集成，实现了红色和绿色的微型LED。

9. "Multi-Colored Micro-LED Arrays Integrated on Silicon Substrates": 该文章介绍了一种在硅基底上制备多彩色微型LED阵列的方法。

10. "Electrically Driven Single-Photon Emission From Colloidal Quantum Dots Coupled With Micro-LEDs": 该文章讲述了一种新的单光子发射技术，通过量子点与微型LED的耦合实现。

11. "Micro-LED Arrays Fabricated by Surface Micromachining": 该文章报道了一种新的表面微加工方法，制备了微型LED阵列。

12. "Optimization of Micro-LED Arrays With Hybrid Composition Barrier Using Optimization Algorithm": 该文章介绍了一种混合组分障垒的微型LED阵列优化算法。

13. "Integration of Micro-LED Arrays on Silicon With Efficient Heat Dissipation Using Metallic Thermal Via": 该文章讲述了一种新的金属导热通道技术，提高了硅基微型LED阵列的散热效率。

14. "Highly Luminous and Reliable Monochrome and Full-Color InGaN/GaN Micro-LED Displays": 该文章报道了一种新的高亮度和可靠性的InGaN/GaN微型LED显示屏。

15. "Efficient micro-LEDs based on p-GaN/n-InGaN heterojunctions": 该文章讲述了一种基于p-GaN/n-InGaN异质结的高效率微型LED。

16. "Integration of Nitride-Based Micro-LEDs With Quartz Windows Using Aerosol Jet Printing": 该文章报道了一种新的气溶胶喷印技术，实现了氮化物微型LED与石英窗口的集成。

17. "Photo-Irradiation-Mediated Selective Etching of InGaN-Based Materials for Micro-LED Fabrication": 该文章介绍了一种新的微型LED制造技术，利用光照选择性腐蚀InGaN材料。

18. "Multicolor Micro-LEDs Fabricated on Vertically Aligned InGaN Nanorod Arrays": 该文章讲述了一种纳米棒阵列上制备多彩微型LED的技术。

19. "Arbitrary Shaped Micro-LED Arrays Using Selectively Grown GaN Microcrystals": 该文章报道了一种新的方法，根据在选择性生长的GaN微晶的形状，制备任意形状的微型LED阵列。

20. "High-Power Flip-Chip InGaN Micro-LEDs Bonded Directly to Copper Substrates": 该文章介绍了一种在铜基底上直接结合的高功率翻转芯片InGaN微型LED。

21. "Ultra-bright InGaN/GaN Micro-LEDs With Plasmonic Nanostructure": 该文章报道了一种新的纳米结构设计，增强了InGaN/GaN微型LED的亮度。

22. "Micro-LEDs on Transparent Substrates for Wearable Displays and Microscopy": 该文章讲述了一种基于透明基板的微型LED，用于可穿戴显示和显微镜。

23. "High-Efficiency InGaN/GaN micro-LEDs with Large Overlapping Quantum Wells": 该文章报道了一种新的方案，通过大重叠量子阱，提高InGaN/GaN微型LED的效率。

24. "Integration of Micro-LEDs With Si Through Via and Its Application in Display and Sensing": 该文章介绍了一种新的Si穿透孔技术，实现了微型LED的集成，并在显示和传感方面应用。

25. "Micro-LEDs Based on Solution-Processed Inorganic Halide Perovskites": 该文章报道了一种基于溶液处理的无机卤化物钙钛矿的微型LED。

26. "Scalable Fabrication of Micro-LEDs Using Roll-to-Roll Printing and Proton-Enhanced Exfoliation": 该文章讲述了一种新的Roll-to-Roll印刷和质子增强剥离方法，实现了可扩展制造微型LED。

27. "Optically and Electrically Stable Quantum-Dot Micro-LEDs Decorated With Exciton-Blocking Layers": 该文章介绍了一种新的发光性能稳定的量子点微型LED，通过利用激子阻挡层实现。

28. "Micro-LEDs on Si With Thick Ni/Au Contacts for High-Power Applications": 该文章报道了一种新的在硅基底上制备厚Ni / Au接触点的高功率微型LED。

29. "Near-Infrared Micro-LEDs Using InAs Quantum Dots Grown on InP Substrates": 该文章讲述了一种利用在InP基底上生长的InAs量子点制备近红外微型LED。

30. "GaN-Based Vertical Micro-LED Arrays on Printed Circuit Board Substrates": 该文章介绍了一种垂直排列的GaN基微型LED阵列，制备在印刷电路板基板上。

目前业界主流的非制冷红外探测器芯片的型号有哪些，面阵（fpa）为多大

目前业界主流的非制冷红外探测器芯片型号有很多，常见的有以下几种：

1. VOx（Vanadium Oxide）芯片
2. a-Si（Amorphous Silicon）芯片
3. InAs（Indium Arsenide）芯片
4. MCT（Mercury Cadmium Telluride）芯片
5. QWIP（Quantum Well Infrared Photodetector）芯片

这些芯片的面阵（FPA）大小也有所不同，一般在 320x240 或者 640x480 的面阵较为常见。当然，也有更大的面阵，如 1024x768 等，但这些芯片价格较高，应用范围较为专业。对于一般的红外成像应用，320x240 或者 640x480 的面阵已经能够满足大部分需求。