半导体物理第二章 pn结习题答案

第二章的pn结习题答案如下：

1. 为了形成pn结，p型半导体和n型半导体需要通过扩散过程将杂质原子相互扩散，并在结区形成耗尽层。
2. pn结的正向偏置是指在结的两边加正电压，使电子流从n型区向p型区流动。
3. pn结的反向偏置是指在结的两边加负电压，使耗尽层更宽，阻止电子和空穴的扩散。
4. pn结的漏电流在正向偏置时增加，而在反向偏置时减小。
5. 内建电场是在达到热平衡时由于扩散产生的，它阻止进一步的电子和空穴扩散。
6. 在pn结正向偏置下，电子和空穴因为扩散效应而聚集到结区，最终导致电子与空穴复合，产生光子。
7. 肖特基势垒是pn结正向偏置时在p型半导体和金属接触处产生的电位障碍。
8. 直接遗传图表示在pn结反向偏置状态下电子和空穴在结区由漂移效应直接穿过结而产生的电流密度分布图。
9. 碳化硅是一种具有较高击穿电场强度和热导率的宽禁带半导体，适合用于高频功率器件。
10. LED是利用pn结的电子和空穴复合释放出光子的原理制成的半导体器件。

相关问题

半导体物理学 上 第二版 叶良修 pdf

《半导体物理学》是一本关于半导体物理学的教材，第二版由叶良修所编写。该教材涵盖了半导体物理学基本概念、原理与应用等内容，适合作为研究生、本科生以及科研工作者的参考书。

《半导体物理学》第二版的PDF版本可以在网络上进行下载获取。通过搜索引擎或电子图书馆等资源，可以快速找到相关的下载链接。下载PDF版本后，可以进行电子阅读，方便查阅和学习。

该教材的第二版相对于第一版进行了修订和更新，内容更加完善和全面。它主要包括了半导体材料的基本性质、能带理论、载流子运动与输运、PN结、二极管、BJT晶体管、MOS场效应管等内容，涵盖了半导体物理学的基础知识和相关应用。

这本教材的优点在于它深入浅出地介绍了半导体物理学的基本原理和理论，概念清晰、条理分明，适合各个层次的读者理解和学习。同时，它也结合了实际应用，并提供了大量的例题和习题，帮助读者巩固所学知识。

《半导体物理学》第二版是学习和研究半导体物理学的理论基础，不仅适用于物理学、材料科学与工程等相关专业的学生，也适合电子工程、光电子学、纳米科学与技术等领域的读者参考。阅读这本教材有助于深入理解半导体物理学的基本概念和原理，提升相关领域的研究与应用能力。

半导体的pn结结构特性

半导体的pn结是指在半导体中，p型区域和n型区域通过扩散或外加电场形成的一个结。它是半导体器件中最基本的结构之一，具有以下特性：

1. 整体呈电中性：pn结的p区和n区在正常情况下呈电中性，不存在电场和电流。

2. 有一定的空间电荷区：pn结中p区和n区的自由电子和空穴在结区相遇，发生复合，使得结区内出现空间电荷区，其中，p区的空穴被耗尽，n区的自由电子也被耗尽。

3. 可以形成正向偏压：当外加电源的正极连接 pn 结的 p 区，负极连接 n 区时，电子会从 n 区流向 p 区，空穴从 p 区流向 n 区，此时，空间电荷区的宽度会变窄，电流可以通过 pn 结。

4. 可以形成反向偏压：当外加电源的正极连接 pn 结的 n 区，负极连接 p 区时，电子会被阻挡在 n 区，空穴会被阻挡在 p 区，此时，空间电荷区的宽度会变宽，几乎不会有电流通过 pn 结。

5. 具有整流特性：当 pn 结处于正向偏压时，电流可以通过 pn 结，这种现象称为导通，当 pn 结处于反向偏压时，几乎不会有电流通过 pn 结，这种现象称为截止。这种具有导通和截止特性的现象称为整流现象，是半导体器件中最基本的功能之一。

总的来说，pn结是半导体器件中最基本的结构之一，具有整流特性和电阻特性，是半导体器件如二极管、晶体管等的基础。