磁控溅射24nmIGZO及其剥离理论原理

磁控溅射是一种利用离子轰击材料表面产生的粒子溅射制备薄膜的技术。磁控溅射过程中，靶材表面的原子或分子被高能离子轰击后溅射到基板表面，从而形成薄膜。

对于IGZO材料，其制备过程中需要在真空环境中加入氧气等反应气体，以使IGZO薄膜能够形成化学键，并保证其稳定性。在制备过程中，通过调整气体流量、气压、溅射功率等参数，可以控制薄膜的厚度、成分和性质。

在剥离IGZO薄膜时，需要考虑薄膜与基片的结合强度，以及剥离过程中对薄膜的损伤程度。化学溶解法剥离时，利用溶液中的化学成分对薄膜和基片之间的化学键进行腐蚀，从而使薄膜从基片上剥离下来。机械刮擦法则是通过机械力对薄膜进行刮擦，从而使薄膜从基片上剥离下来。

总的来说，磁控溅射技术制备IGZO薄膜的原理是利用离子轰击和溅射等物理过程将靶材上的IGZO材料沉积到基片上，而剥离的原理则是通过化学溶解或机械刮擦等方法将薄膜从基片上剥离下来。