磁控溅射24nmIGZO及其剥离

磁控溅射是一种常用的薄膜制备技术，可以制备出高质量、均匀厚度的薄膜。下面是磁控溅射制备24nm IGZO 薄膜的步骤：

1. 准备基片：将待加工的基片清洗干净并进行表面处理，以保证IGZO 薄膜能够牢固附着在基片表面。

2. 制备靶材：将含有IGZO材料的靶材放置在磁控溅射装置中。

3. 溅射制备IGZO薄膜：在真空环境中，通过加入惰性气体和氧气等反应气体，并在靶材表面施加高电压，使靶材表面的IGZO材料被加热并溅射到基片表面，从而形成IGZO 薄膜。

4. 薄膜剥离：利用化学溶解或机械刮擦等方法将制备好的IGZO 薄膜从基片上剥离下来。其中，化学溶解法是将基片放入溶液中进行腐蚀，使IGZO 薄膜从基片上剥离下来。机械刮擦法是利用刮刀等工具将IGZO 薄膜从基片上刮下来。

需要注意的是，在进行剥离时，要保证IGZO 薄膜的完整性和平整度，以保证后续的应用效果。