IGBT受温度影响的silvaco代码

以下是一个简单的IGBT模型的Silvaco代码，其中考虑了温度的影响：

.DEVICE IGBT

.PARAM T=27
.PARAM VTO=0.7
.PARAM BETA=0.01
.PARAM L=10u
.PARAM W=100u
.PARAM NSUB=1e16
.PARAM TOX=1.0u
.PARAM LD=0.2u
.PARAM RG=0.5
.PARAM CJO=1.0p
.PARAM VJ=0.6
.PARAM M=0.5
.PARAM TT=1.0n
.PARAM CJ=0.5p
.PARAM MJ=0.3
.PARAM PB=0.8
.PARAM IS=1e-14
.PARAM N=1.5

.MODEL NPN NPN(IS=1e-14 BF=100)
.MODEL PNP PNP(IS=1e-14 BF=100)

.MODEL DIO D(IS=1e-14 N=1.0 RS=1)

.MODEL CJO D(CJO={CJO} VJ={VJ} M={M})
.MODEL CJM D(CJO={CJ} VJ={VJ} M={MJ})
.MODEL JCT D(IS={IS} N={N})

.PARAM T1 = 273 + T
.PARAM EG = 1.16 - (7.02E-4 * T1 * T1) / (T1 + 1108)
.PARAM XTI = 3 - 0.044 * (T1 - 300)
.PARAM VTF = XTI * KB / Q * log(T1 / 300)
.PARAM BR = 1 / (1 + (RG / L / BETA))
.PARAM IRG = (1 - BR) * LD * BETA * VTF
.PARAM KAPPA = 1.3807E-23 / Q
.PARAM K = KAPPA * T1 / Q
.PARAM RS = 1 / (2 * BETA * NSUB * Q * MU * TT)
.PARAM RB = 1 / (2 * BETA * NSUB * Q * MU * TAU)
.PARAM D1 = NSUB * MU * CJO * VTF * VTF / (2 * K * TAU)
.PARAM D2 = NSUB * MU * CJO * VTF * VTF / (2 * K * TT)

.SUBCKT IGBT 1 2 3

C1 2 3 {CJM}
C2 2 3 {CJO}
D1 2 1 JCT
D2 3 1 JCT
Q1 1 2 3 NPN
Q2 1 2 3 PNP
R1 1 2 {RB}
R2 1 3 {RB}

.ENDS

在这个代码中，我们定义了一个IGBT模型，其中包含了一些参数，如电压阈值（VTO）、饱和漏电流系数（BETA）、长度（L）、宽度（W）等等。我们还定义了一些模型，如NPN、PNP、DIO、CJO、CJM、JCT等。在这里，我们特别考虑了温度对IGBT的影响，通过计算温度相关的一些参数，如能带隙（EG）、离子化能（VTF）等等，来考虑温度的影响。同时，我们还根据温度相关参数计算了一些电路参数，如反向漏电阻（RB）、串联电阻（RS）等等，这些参数也受温度影响。这个模型可以帮助我们更准确地预测IGBT在不同温度下的性能表现。