浮栅三极管-FAMOS、SAMOS、MNOS和FLOTOX
时间: 2023-08-12 12:08:01 浏览: 80
浮栅三极管是一种非易失性存储器件,常用于集成电路中。其中,FAMOS、SAMOS、MNOS和FLOTOX都是浮栅三极管的不同类型。
FAMOS (Floating-gate Avalanche Injection MOS) 与普通的MOSFET最大的区别在于它具有浮动栅极(Floating Gate)。FAMOS的特点是具有非常高的抗辐射能力和超长的数据保存时间,适合于空间和核电等领域应用。
SAMOS (Selectively doped Avalanche-Injection MOS) 是一种常用的非易失性存储器,在性能和可制程方面都优于FAMOS。SAMOS的浮动栅极与普通MOSFET的栅极不同,它被刻意设计成一种势垒储存器件,使得数据可以长时间地保存。
MNOS (Metal-Nitride-Oxide-Semiconductor) 和FAMOS、SAMOS都是浮栅三极管的一种,它采用了金属-氮化物-氧化物-半导体的结构。MNOS的优点是读写速度快,而且可靠性高,因此在集成电路中得到了广泛应用。
FLOTOX (Floating-gate tunnel oxide) 是一种使用硅二氧化物隧穿结构的浮栅三极管。它的特点是存储密度高、读写速度快,但相对来说制造工艺更为复杂。FLOTOX在闪存和EEPROM等应用中得到了广泛应用。