stm32g030f6 flash读写例程

stm32g030f6作为一款32位微控制器，具有很高的性能和可靠性，广泛应用于各种电子产品。此处我们以stm32g030f6为基础，介绍其flash读写例程。

首先，我们需要了解flash的基本概念。flash是一种非易失性存储器，可用于储存程序代码、变量等数据。在stm32g030f6中，flash分为两部分：系统flash和用户flash。系统flash主要用于储存程序代码和系统参数，用户flash则是供用户自由使用的部分。

接下来，我们以向用户flash写入数据为例，介绍具体的实现步骤。首先，需要配置flash使能位，即CR寄存器的PG和PER位。然后，使用FLASH_WaitForLastOperation函数等待已有的操作完成。接着，使用FLASH_ErasePage函数擦除需要写入的页，每页大小为1 KB。最后，使用FLASH_ProgramByte等函数向flash中写入数据。

具体的实现过程可以参考以下伪代码：

FLASH_Unlock(); //解锁flash
FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_EOP | FLASH_FLAG_PGERR | FLASH_FLAG_WRPERR); //清除flash各标志位
FLASH_ErasePage(FLASH_USER_START_ADDR); //擦除需要写入的页
for (i = 0; i < DATA_SIZE; i++) //循环写入数据
{
FLASH_ProgramByte(FLASH_USER_START_ADDR + i, pData[i]);
FLASH_WaitForLastOperation(); //等待写入操作完成
}
FLASH_Lock(); //锁定flash

需要注意的是，flash操作需要在RAM中进行，否则运行速度会很慢。因此，需要先将程序复制到RAM中再执行。另外，如果需要在程序运行过程中修改系统flash，需要先关闭全局中断，再进行操作。

综上所述，stm32g030f6 flash读写例程较为简单，主要涉及到flash的配置、擦除和写入等基本操作。熟练掌握这些操作，可以为我们在实际项目中应用stm32g030f6带来很大的便利。