为何在半导体薄膜电阻测量中必须采用开尔文四线测试技术，并简述其工作原理？

在半导体薄膜电阻的测量中，开尔文四线测试技术的采用是至关重要的，因为它能够显著降低测试过程中的接触电阻和引线电阻引入的误差。工作原理简述如下：开尔文测试采用两对独立的导线，即两个激励线（F线）和两个检测线（S线）。激励线用于给被测电阻Rt提供恒定电流，而检测线则用于测量Rt两端的电压。检测线的高输入阻抗确保通过Rt的电流几乎不被检测线分流，从而得到Rt的真实电压值。

参考资源链接：[提升半导体器件精度：开尔文四线电阻测试技术详解](https://wenku.csdn.net/doc/64560e73fcc5391368154319?spm=1055.2569.3001.10343)

由于传统的两线测量方法在测量微小电阻时容易受到导线电阻和接触电阻的影响，导致较大的测量误差，尤其是当被测电阻的阻值非常小（如几欧姆以下）时。开尔文四线测试技术通过隔离这些干扰因素，能够提供高精度的电阻测量结果，确保了测试的准确性和可靠性。

此外，开尔文四线技术特别适用于半导体薄膜电阻的测量，因为这些薄膜电阻往往阻值极低，且对测试精度的要求非常高。这项技术在半导体制造业中应用广泛，特别是在要求高精度电阻测量的场合，如制造高精度电路和组件。为了深入理解开尔文四线测试技术，推荐阅读《提升半导体器件精度：开尔文四线电阻测试技术详解》，该文献详细解释了这项技术的理论和应用，是相关领域的工程师和技术人员的宝贵资源。

参考资源链接：[提升半导体器件精度：开尔文四线电阻测试技术详解](https://wenku.csdn.net/doc/64560e73fcc5391368154319?spm=1055.2569.3001.10343)