在半导体薄膜电阻的测量中，为什么需要使用开尔文四线测试技术，其工作原理是什么？

为了准确测量半导体薄膜电阻的阻值，开尔文四线测试技术因其在低阻测量中的高精度而成为关键技术。当测量的电阻值较小，如在微欧姆量级时，传统的两线测试方法会因引线电阻和接触电阻导致显著的测量误差，无法准确反映电阻的真实值。开尔文四线测试技术之所以被采用，是因为它能够显著减小这些误差。
参考资源链接：提升半导体器件精度：开尔文四线电阻测试技术详解
工作原理是通过使用四根独立的导线进行测试，其中包括两根激励线（F）和两根检测线（S）。激励线用于向待测电阻两端提供稳定的恒流电流，而检测线则用于测量待测电阻两端的电压。在开尔文连接中，检测线的输入阻抗非常高，保证了通过检测线的电流接近于零，从而避免了电流流过检测线时产生的额外电压降，这会干扰到测量结果。由于几乎不会有电流流过检测线，因此可以准确测量待测电阻两端的电压降，进而通过欧姆定律计算出待测电阻的真实值。
具体实施时，先将激励线连接到待测电阻两端，然后将检测线连接至电压测量设备。使用这种方法时，激励线和检测线的独立性确保了测量结果不会因为线材电阻、接触电阻或其他外部因素的影响而产生偏差。这种技术的应用使得在半导体器件的生产和质量控制过程中，即使是非常微小的电阻值也能被精确测量，进而保证了器件的性能和可靠性。
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