在使用JTAG接口对C8051F系列MCU的FLASH进行页擦除和全擦除操作时，应该如何编写控制代码并确保操作的正确性？请提供具体的编程指南和示例。

当面对JTAG接口编程时，特别是涉及到C8051F系列微控制器的FLASH操作时，了解如何编写控制代码进行页擦除和全擦除是每个开发者必须掌握的技能。为了实现这一目标，建议首先熟悉C8051FMCU的JTAG编程指南，它提供了详尽的操作步骤和代码示例。在执行FLASH擦除操作之前，确保你已经正确连接了JTAG接口，并设置了正确的TAP状态机状态。

参考资源链接：[C8051FMCU JTAG编程指南：Flash操作详解及示例](https://wenku.csdn.net/doc/5hpo1h712f?spm=1055.2569.3001.10343)

页擦除操作通常涉及以下步骤：
1. 将JTAG接口置于正确的TAP状态，并加载相关的FLASH操作指令。
2. 通过JTAG间接寄存器将目标页地址写入FLASHADR寄存器。
3. 设置FLASHCON寄存器以选择擦除操作，并确认FLASHSCL寄存器中的忙标志位已清除。
4. 向FLASHDAT寄存器写入擦除指令，然后启动擦除操作。
5. 持续查询FLASHSCL寄存器中的忙标志位，直到操作完成。

全擦除操作与页擦除类似，但不需要预先写入页地址。它会擦除整个FLASH内容，通常用于产品出厂设置。

为了更具体地理解这些步骤，你可以参考《C8051FMCU JTAG编程指南：Flash操作详解及示例》中的示例源代码。该指南详细说明了如何通过编程代码来控制JTAG接口，实现对FLASH的精确操作。它包括了各种FLASH编程操作的代码片段，例如页擦除和全擦除，并解释了如何通过编程实现对特定FLASH字节的读写操作。

例如，页擦除操作可能会包含类似下面的代码片段：

    // 页擦除操作示例
    // 假设已经通过JTAG命令成功连接到目标MCU

    // 设置擦除操作的地址和控制寄存器
    JTAG_WriteIndirect(FLASHADR, PageAddress); // 写入页地址
    JTAG_WriteIndirect(FLASHCON, 0x03); // 设置擦除模式

    // 执行擦除操作
    JTAG_WriteIndirect(FLASHDAT, FLASH_ERASE_CMD); // 写入擦除指令
    JTAG_WriteIndirect(FLASHSCL, 0x01); // 启动擦除操作

    // 等待操作完成
    while ((JTAG_ReadIndirect(FLASHSCL) & 0x02) != 0) {}

    // 检查擦除是否成功

这段代码是高度概括的，你需要根据实际的编程环境和接口细节来调整。

在操作过程中，务必注意检查FLASHSCL寄存器的忙标志位，确保每个操作步骤都已经正确完成，且没有发生错误。

为了更深入地理解JTAG标准和IEEE 1149.1-1990规范，查阅官方文档将有助于你全面掌握JTAG编程的所有细节，为你的项目提供更加稳固的基石。

参考资源链接：[C8051FMCU JTAG编程指南：Flash操作详解及示例](https://wenku.csdn.net/doc/5hpo1h712f?spm=1055.2569.3001.10343)