iR2104的自举电容与自举回路关系

iR2104 自举电容工作原理
iR2104 是一种高侧和低侧栅极驱动器集成电路 (IC)，广泛用于电机控制和其他功率转换应用中的半桥配置。该 IC 的一个重要特性是支持自举操作，允许高效地驱动高压侧 MOSFET。
自举电容的工作机制
为了使高侧 MOSFET 正常导通，其栅源电压 ( V_{GS} ) 需要高于阈值电压。然而，在开关过程中，当低端 MOSFET 导通时，高端 MOSFET 的源极端会跟随负载电压变化，因此需要额外的电源来提供所需的栅极驱动电压。这就是自举电容的作用所在[^2]。
自举电容连接在 VB 和 VS 引脚之间，并通过一个外部二极管充电至辅助电源（通常为 15V）。当低端 MOSFET 关闭而高端开启时，这个预先充好的电容器能够维持足够的电压差以保持高端 MOSFET 的导通状态。随着每次切换周期重复上述过程，从而实现了连续可靠的高边驱动信号传递[^5]。
// C code example to illustrate the timing of switching operations.
void toggleMOSFET() {
// Turn off low-side MOSFET and turn on high-side MOSFET using IR2104 control signals.
}
登录后复制
回路设计要点
对于基于 iR2104 构建的实际电路来说：

选择合适的自举二极管：推荐采用快速恢复型整流器件如 FR307 或 MUR 系列产品，因为它们具有较低的正向压降以及更快的速度响应特性，有助于减少损耗并提高效率。

合理设置自举电容容量：一般情况下，建议选取至少 0.1μF 至几微法拉范围内的陶瓷或薄膜材质电容器作为自举元件；具体数值取决于应用场景下的频率特性和峰值电流需求等因素。

注意布局布线细节：确保 PCB 上各组件之间的连线尽可能短直，尤其是涉及高速脉冲传输路径的部分，这样可以降低电磁干扰风险并优化整体性能表现。