flask 从一个函数return 其他函数
在 Flask 框架中,你可以通过将一个函数作为另一个函数的返回值来实现这种功能,通常我们称作“回调”或者“高阶函数”。这样做可以在一个函数内部动态地决定返回哪个具体的处理逻辑。例如:
from flask import Flask
def get_view_function(name):
def view_func():
return f"Hello from {name}"
return view_func
app = Flask(__name__)
@app.route('/')
def main():
return get_view_function('Flask')
if __name__ == '__main__':
app.run()
在这个例子中,get_view_function
是一个工厂函数,它接收一个参数并返回一个新的视图函数 view_func
。当我们在main
函数中调用get_view_function('Flask')
,实际上是在返回一个封装了特定名称字符串的新函数,这个新函数会在访问根URL时被执行。
用C语言写STM32F4 单片机 flash读写两个函数
在STM32F4单片机上操作Flash需要特定库的支持,如STM HAL库或ST提供的CubeMX生成的驱动。以下是使用HAL库编写基本的Flash读写功能的一个例子:
```c #include "stm32f4xx_hal.h"
// Flash读取函数 uint32_t ReadFlash(uint32_t Address) { uint8_t pData = (uint8_t)Address; HAL_StatusTypeDef status;
// 开启闪存读取模式
status = HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_WORD, Address, pData);
if (status != HAL_OK) {
while (1); // 无法读取则死循环,实际应用需处理错误
}
// 返回读取的数据字节数
return sizeof(pData);
}
// Flash写入函数 void WriteFlash(uint32_t Address, uint32_t Data) { uint8_t pBuffer = (uint8_t)&Data; // 数据转换成字节数组 HAL_StatusTypeDef status;
// 写入数据前先清除该地址
status = HAL_FLASH_erase_sector(Address / FLASH_SECT_SIZE);
if (status != HAL_OK) {
// 处理擦除失败的情况
}
// 开始写入
status = HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEERASE_WRITEWord, Address, pBuffer);
if (status != HAL_OK) {
// 处理写入失败的情况
}
}
给我一个demo 我需要用spiflash模拟eeprom flash每个扇区4KB 我要用前4个扇区模拟16KB的eeprom 提供的函数如下 void spi_flash_buffer_read(uint8_t* pbuffer, uint32_t read_addr, uint16_t num_byte_to_read)flash读取函数 u8 eraseFlashOneSector(u32 sectorNum)扇区擦除函数 void spi_flash_buffer_write(uint8_t* pbuffer, uint32_t write_addr, uint16_t num_byte_to_write)flash写函数。需要实现的函数u8 EEPROM_Write_NBytes(u16 Addr,u8 *Write_Buff,u16 len) 从eeprom写入n个字节 要求考虑到flash的扇区翻页
这是一个简单的示例代码,演示如何使用 spi_flash_buffer_read、eraseFlashOneSector 和 spi_flash_buffer_write 函数来模拟 EEPROM 的读写操作,并考虑到 Flash 的扇区翻页。请注意,以下代码仅用于演示目的,实际应用可能需要进行适当的修改和优化。
#include <stdint.h>
#define SECTOR_SIZE 4096
#define EEPROM_SIZE 16384
// 读取数据
void spi_flash_buffer_read(uint8_t* pbuffer, uint32_t read_addr, uint16_t num_byte_to_read) {
// 实现 flash 读取逻辑
}
// 擦除扇区
uint8_t eraseFlashOneSector(uint32_t sectorNum) {
// 实现扇区擦除逻辑
}
// 写入数据
void spi_flash_buffer_write(uint8_t* pbuffer, uint32_t write_addr, uint16_t num_byte_to_write) {
// 实现 flash 写入逻辑
}
// EEPROM 写入 n 个字节
uint8_t EEPROM_Write_NBytes(uint16_t Addr, uint8_t *Write_Buff, uint16_t len) {
uint8_t sectorNum = Addr / SECTOR_SIZE; // 计算扇区号
uint16_t offset = Addr % SECTOR_SIZE; // 计算偏移量
// 判断写入数据是否跨越多个扇区
if (offset + len > SECTOR_SIZE) {
// 需要跨越多个扇区,进行扇区翻页操作
uint16_t remainingBytes = len; // 剩余待写入字节数
uint8_t* dataPtr = Write_Buff; // 待写入数据的指针
while (remainingBytes > 0) {
// 擦除当前扇区
if (eraseFlashOneSector(sectorNum) != 0) {
return 0; // 擦除失败
}
// 计算本次写入的字节数
uint16_t writeBytes = SECTOR_SIZE - offset;
if (writeBytes > remainingBytes) {
writeBytes = remainingBytes;
}
// 写入数据
spi_flash_buffer_write(dataPtr, sectorNum * SECTOR_SIZE + offset, writeBytes);
dataPtr += writeBytes; // 更新数据指针
remainingBytes -= writeBytes; // 更新剩余字节数
sectorNum++; // 更新扇区号
offset = 0; // 设置偏移量为 0,因为已经跳到下一个扇区的起始位置
}
}
else {
// 数据不跨越扇区,直接写入即可
spi_flash_buffer_write(Write_Buff, Addr, len);
}
return 1; // 写入成功
}
int main() {
// 示例用法
uint8_t eepromData[EEPROM_SIZE]; // 模拟 EEPROM 数据
// 写入数据到 EEPROM
uint8_t writeData[] = {0x01, 0x02, 0x03};
EEPROM_Write_NBytes(0, writeData, sizeof(writeData));
// 从 EEPROM 读取数据
uint8_t readData[3];
spi_flash_buffer_read(readData, 0, sizeof(readData));
return 0;
}
请根据实际情况修改函数的参数和返回值类型,并根据所使用的 Flash 设备的具体规格来实现对应的读写和擦除操作。这只是一个简单的示例,可能需要根据你的具体需求进行修改和优化。