C语言写stm32f446内部flash的读写函数

以下是使用C语言编写的STM32F446内部Flash读写函数示例：

#include "stm32f4xx_hal.h"

/* 内部Flash起始地址 */
#define INTERNAL_FLASH_START_ADDR 0x08000000

/* 内部Flash扇区大小 */
#define INTERNAL_FLASH_SECTOR_SIZE 0x4000

/* 内部Flash扇区数量 */
#define INTERNAL_FLASH_SECTOR_NUM 12

/* 内部Flash擦除超时时间（毫秒） */
#define INTERNAL_FLASH_ERASE_TIMEOUT 5000

/* 内部Flash写入超时时间（毫秒） */
#define INTERNAL_FLASH_WRITE_TIMEOUT 500

/**
 * @brief 读取内部Flash中指定地址的数据
 * @param address 要读取的地址
 * @param buffer 读取数据存储的缓冲区
 * @param length 要读取的数据长度（单位：字节）
 * @return 读取的数据长度
 */
uint32_t InternalFlash_Read(uint32_t address, uint8_t *buffer, uint32_t length)
{
    uint32_t i;

    for (i = 0; i < length; i++)
    {
        buffer[i] = *(uint8_t *)(INTERNAL_FLASH_START_ADDR + address + i);
    }

    return i;
}

/**
 * @brief 在内部Flash中写入数据
 * @param address 要写入的起始地址
 * @param buffer 要写入的数据缓冲区
 * @param length 要写入的数据长度（单位：字节）
 * @return 写入的数据长度
 */
uint32_t InternalFlash_Write(uint32_t address, uint8_t *buffer, uint32_t length)
{
    HAL_StatusTypeDef status;
    uint32_t i;

    /* 初始化Flash操作 */
    HAL_FLASH_Unlock();

    /* 擦除Flash扇区 */
    FLASH_Erase_Sector(FLASH_SECTOR_11, VOLTAGE_RANGE_3);

    /* 写入数据 */
    for (i = 0; i < length; i++)
    {
        status = HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_BYTE, INTERNAL_FLASH_START_ADDR + address + i, buffer[i]);
        if (status != HAL_OK)
        {
            break;
        }
    }

    /* 等待写入完成 */
    HAL_FLASH_Lock();

    return i;
}

/**
 * @brief 擦除内部Flash中指定地址范围的数据
 * @param start_address 要擦除的起始地址
 * @param end_address 要擦除的结束地址
 * @return 操作结果（0：成功，1：失败）
 */
uint32_t InternalFlash_Erase(uint32_t start_address, uint32_t end_address)
{
    HAL_StatusTypeDef status;
    FLASH_EraseInitTypeDef erase_init;
    uint32_t sector_error;

    /* 计算要擦除的扇区号 */
    uint32_t start_sector = (start_address - INTERNAL_FLASH_START_ADDR) / INTERNAL_FLASH_SECTOR_SIZE;
    uint32_t end_sector = (end_address - INTERNAL_FLASH_START_ADDR) / INTERNAL_FLASH_SECTOR_SIZE;

    /* 初始化Flash操作 */
    HAL_FLASH_Unlock();

    /* 擦除Flash扇区 */
    erase_init.TypeErase = FLASH_TYPEERASE_SECTORS;
    erase_init.VoltageRange = VOLTAGE_RANGE_3;
    erase_init.Sector = start_sector;
    erase_init.NbSectors = end_sector - start_sector + 1;
    status = HAL_FLASHEx_Erase(&erase_init, &sector_error);
    if (status != HAL_OK)
    {
        /* 操作失败 */
        HAL_FLASH_Lock();
        return 1;
    }

    /* 等待擦除完成 */
    while (FLASH_WaitForLastOperation(INTERNAL_FLASH_ERASE_TIMEOUT) != HAL_OK);

    /* 完成操作 */
    HAL_FLASH_Lock();

    return 0;
}

注：以上代码仅供参考，具体实现可能需要根据实际情况进行调整和优化。