写一段Python代码: 使用正则表达式,筛选出指定txt文档中“VREF_BF_TRIM= 584.0MV”中间的数字,然后将筛选出来的所有数字分别存进一个叫“OK”的xlsx的单元格中

时间: 2024-06-06 07:07:19 浏览: 7
import re import openpyxl # 打开txt文档 with open('example.txt', 'r') as f: content = f.read() # 使用正则表达式筛选出数字 pattern = r'VREF_BF_TRIM=\s+(\d+\.\d+)MV' match_list = re.findall(pattern, content) # 将数字存进xlsx单元格中 wb = openpyxl.Workbook() ws = wb.active for i in range(len(match_list)): ws.cell(row=i+1, column=1, value=float(match_list[i])) wb.save('OK.xlsx')
相关问题

写一段Python代码: 使用正则表达式,筛选出指定txt文档中“VREF_BF_TRIM= 584.0MV”中间的数字,并另存为一个叫“OK”的txt文件中

```python import re # 打开原始文本文件 with open("original.txt", "r") as f: content = f.read() # 使用正则表达式匹配数字 match = re.search(r"VREF_BF_TRIM=\s*(\d+(\.\d+)?)MV", content) if match: # 提取匹配到的数字 num = match.group(1) # 将数字保存到新的文本文件中 with open("OK.txt", "w") as f: f.write(num) else: print("No match found.") ``` 其中,`original.txt`为指定的文本文件名,`VREF_BF_TRIM= 584.0MV`为待匹配的字符串,数字`584.0`将被提取并保存到新的文本文件`OK.txt`中。如果没有匹配到,则输出提示信息。

Read Spd Begin... The memory on CH :1 are different! N: pre svc call fun = 0xc2000f04 -- pm-1 = 0, pm-2 = 29819750, pm-3 = 0 N: ddr fun = 0x0 -- pm = 0x29819750, pm2 = 0x0 N: parameter mcu: v0.5 Mcu Start Work ... get_clocks_value: scpi send command start: 0x10 scpi send command success get clocks = 533 MHZ pll_scp_num = 8 Lmu Freq = 1066Mhz ch = 0 parameter set ch closed! DIMM Don't Probed! ch = 1 the dimm info is from uboot... Dimm_Capacity = 8GB Mcu Channel 1 AES configuration begin... AES bypass end... TZC configuration begin... TZC bypass end... use_0x14 == 0xb0100 ctl_cfg_begin...... pi_cfg_begin...... phy_cfg_begin...... fast mode caslat = 15 wrlat = 14 tinit = 856000 r2r_diffcs_dly = 4 r2w_diffcs_dly = 5 w2r_diffcs_dly = 3 w2w_diffcs_dly = 7 r2w_samecs_dly = 4 w2r_samecs_dly = 0 r2r_samecs_dly = 0 w2w_samecs_dly = 0 ch 1 adapter_alg -- 0-0-0-0-0-0-0 rtt_wr = dis rtt_park = 80ohm ron = 34ohm val_cpudrv = 34 rtt_nom = 48ohm val_cpuodt = 48 vref_dev = 10 vrefsel = 0x45 dq_oe_timing = 0x42 rank_num_decode = 1 set phy_indep_init_mode set pi_dram_init_en set_pi_start & ctl_start...... wait init complete...... init complete done...... wait complete done...... rddqs_lat = 0x2 tdfi_phy_rdlat = 0x1f begin software ntp training... rank_num: 0 phy_write_path_lat_add =-1-1-1-1-1-1-1-1-1 phy_write_path_lat_add = 0 0 0 0 0 0 0 0 0 phy_write_path_lat_add = 1 1 1 1 1 1 1 1 1 phy_write_path_lat_add = 2 2 2 2 2 2 2 2 2 phy_write_path_lat_add = 3 3 3 3 3 3 3 3 3 phy_write_path_lat_add = 4 4 4 4 4 4 4 4 4 rank 0 wdqlvl! r2r_diffcs_dly = 4 r2w_diffcs_dly = 7 w2r_diffcs_dly = 4 w2w_diffcs_dly = 6 r2w_samecs_dly = 5 rank 0 ch 1 training fail

根据您提供的信息,似乎是内存训练过程中出现了错误。错误信息中指出了CH1内存信息不同的问题,以及训练过程中的一些参数和配置。其中,"Mcu Channel 1 AES configuration begin... AES bypass end... TZC configuration begin... TZC bypass end... use_0x14 == 0xb0100 ctl_cfg_begin"等信息表示内存控制器的一些配置和初始化过程。而"rank 0 wdqlvl! r2r_diffcs_dly = 4 r2w_diffcs_dly = 7 w2r_diffcs_dly = 4 w2w_diffcs_dly = 6 r2w_samecs_dly = 5 rank 0 ch 1 training fail"则表示在对CH1的rank0进行写数据时出现了训练失败的情况。 具体的原因可能需要进一步分析,可能与内存硬件、时序参数、内存控制器等方面有关。建议您尝试重新启动或重新插拔内存模块,并检查是否有硬件故障或不良连接的情况。同时,您也可以检查内存访问时序参数和内存控制器的配置是否正确。如果问题仍然存在,建议您查看更详细的错误信息或寻求专业的技术支持。

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#include "bflb_adc.h" #include "bflb_mtimer.h" #include "board.h" struct bflb_device_s adc; #define TEST_ADC_CHANNELS 2 #define TEST_COUNT 10 struct bflb_adc_channel_s chan[] = { { .pos_chan = ADC_CHANNEL_2, .neg_chan = ADC_CHANNEL_GND }, { .pos_chan = ADC_CHANNEL_GND, .neg_chan = ADC_CHANNEL_3 }, }; int main(void) { board_init(); board_adc_gpio_init(); adc = bflb_device_get_by_name("adc"); / adc clock = XCLK / 2 / 32 */ struct bflb_adc_config_s cfg; cfg.clk_div = ADC_CLK_DIV_32; cfg.scan_conv_mode = true; cfg.continuous_conv_mode = false; cfg.differential_mode = true; cfg.resolution = ADC_RESOLUTION_16B; cfg.vref = ADC_VREF_3P2V; bflb_adc_init(adc, &cfg); bflb_adc_channel_config(adc, chan, TEST_ADC_CHANNELS); for (uint32_t i = 0; i < TEST_COUNT; i++) { bflb_adc_start_conversion(adc); while (bflb_adc_get_count(adc) < TEST_ADC_CHANNELS) { bflb_mtimer_delay_ms(1); } for (size_t j = 0; j < TEST_ADC_CHANNELS; j++) { struct bflb_adc_result_s result; uint32_t raw_data = bflb_adc_read_raw(adc); printf("raw data:%08x\r\n", raw_data); bflb_adc_parse_result(adc, &raw_data, &result, 1); printf("pos chan %d,neg chan %d,%d mv \r\n", result.pos_chan, result.neg_chan, result.millivolt); } bflb_adc_stop_conversion(adc); bflb_mtimer_delay_ms(100); } while (1) { } }根据以上代码对bl618程序的编写对以下stm32中代码#include "stm32f10x.h" #include "delay.h" #include "FSR.h" #include "usart.h" #include "adc.h" #define PRESS_MIN 20 #define PRESS_MAX 6000 #define VOLTAGE_MIN 150 #define VOLTAGE_MAX 3300 u8 state = 0; u16 val = 0; u16 value_AD = 0; long PRESS_AO = 0; int VOLTAGE_AO = 0; long map(long x, long in_min, long in_max, long out_min, long out_max); int main(void) { delay_init(); NVIC_Configuration(); uart_init(9600); Adc_Init(); delay_ms(1000); printf("Test start\r\n"); while(1) { value_AD = Get_Adc_Average(1,10); VOLTAGE_AO = map(value_AD, 0, 4095, 0, 3300); if(VOLTAGE_AO < VOLTAGE_MIN) { PRESS_AO = 0; } else if(VOLTAGE_AO > VOLTAGE_MAX) { PRESS_AO = PRESS_MAX; } else { PRESS_AO = map(VOLTAGE_AO, VOLTAGE_MIN, VOLTAGE_MAX, PRESS_MIN, PRESS_MAX); } printf("ADÖµ = %d,µçѹ = %d mv,ѹÁ¦ = %ld g\r\n",value_AD,VOLTAGE_AO,PRESS_AO); delay_ms(500); } } long map(long x, long in_min, long in_max, long out_min, long out_max) { return (x - in_min) * (out_max - out_min) / (in_max - in_min) + out_min; }移植到bl618进行改写

static void check_efuse(void) { #if CONFIG_IDF_TARGET_ESP32 //Check if TP is burned into eFuse if (esp_adc_cal_check_efuse(ESP_ADC_CAL_VAL_EFUSE_TP) == ESP_OK) { printf("eFuse Two Point: Supported\n"); } else { printf("eFuse Two Point: NOT supported\n"); } //Check Vref is burned into eFuse if (esp_adc_cal_check_efuse(ESP_ADC_CAL_VAL_EFUSE_VREF) == ESP_OK) { printf("eFuse Vref: Supported\n"); } else { printf("eFuse Vref: NOT supported\n"); } #elif CONFIG_IDF_TARGET_ESP32S2 if (esp_adc_cal_check_efuse(ESP_ADC_CAL_VAL_EFUSE_TP) == ESP_OK) { printf("eFuse Two Point: Supported\n"); } else { printf("Cannot retrieve eFuse Two Point calibration values. Default calibration values will be used.\n"); } #else #error "This example is configured for ESP32/ESP32S2." #endif } static void print_char_val_type(esp_adc_cal_value_t val_type) { if (val_type == ESP_ADC_CAL_VAL_EFUSE_TP) { printf("Characterized using Two Point Value\n"); } else if (val_type == ESP_ADC_CAL_VAL_EFUSE_VREF) { printf("Characterized using eFuse Vref\n"); } else { printf("Characterized using Default Vref\n"); } } void app_main(void) { //Check if Two Point or Vref are burned into eFuse check_efuse(); //Configure ADC if (unit == ADC_UNIT_1) { adc1_config_width(width); adc1_config_channel_atten(channel, atten); } else { adc2_config_channel_atten((adc2_channel_t)channel, atten); } //Characterize ADC adc_chars = calloc(1, sizeof(esp_adc_cal_characteristics_t)); esp_adc_cal_value_t val_type = esp_adc_cal_characterize(unit, atten, width, DEFAULT_VREF, adc_chars); print_char_val_type(val_type); //Continuously sample ADC1 while (1) { uint32_t adc_reading = 0; //Multisampling for (int i = 0; i < NO_OF_SAMPLES; i++) { if (unit == ADC_UNIT_1) { adc_reading += adc1_get_raw((adc1_channel_t)channel); } else { int raw; adc2_get_raw((adc2_channel_t)channel, width, &raw); adc_reading += raw; } } adc_reading /= NO_OF_SAMPLES; //Convert adc_reading to voltage in mV uint32_t voltage = esp_adc_cal_raw_to_voltage(adc_reading, adc_chars); printf("Raw: %d\tVoltage: %dmV\n", adc_reading, voltage); vTaskDelay(pdMS_TO_TICKS(1000)); } }

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