DDR的全部测试项用树形图画出,根据测试向量测试参数划分
时间: 2023-09-05 15:11:34 浏览: 53
以下是一个简单的DDR测试项树形结构图示例,根据测试向量和测试参数进行划分:
```
DDR测试项
├── 电气特性测试
│ ├── 时序测试
│ │ ├── 启动时间测试
│ │ ├── 写入时序测试
│ │ ├── 读取时序测试
│ │ └── 时钟偏移测试
│ ├── 电压测试
│ │ ├── VDDQ测试
│ │ ├── VREF测试
│ │ └── VTT测试
│ └── 电流测试
│ ├── IDD0测试
│ ├── IDD2P测试
│ ├── IDD2N测试
│ └── IDD3P测试
├── 功能测试
│ ├── 单元测试
│ ├── 整合测试
│ └── 兼容性测试
├── 性能测试
│ ├── 带宽测试
│ ├── 时延测试
│ └── 稳定性测试
├── 可靠性测试
│ ├── 读取稳定性测试
│ ├── 写入稳定性测试
│ ├── 擦除稳定性测试
│ ├── 寿命测试
│ └── 温度循环测试
└── 安全性测试
├── 访问控制测试
├── 机密性测试
└── 完整性测试
```
这个树形结构图可以更全面地展示DDR测试的不同测试项和测试子项,根据测试向量和测试参数进行划分,方便测试人员进行测试计划和执行。
相关问题
DDR的测试用例用树形结构图表示
以下是一个简单的DDR测试用例树形结构图示例:
```
DDR测试用例
├── 初始化阶段
│ ├── 确定测试环境和配置
│ ├── 设置测试参数和变量
│ └── 初始化测试设备
├── 测试数据生成阶段
│ ├── 生成测试数据
│ ├── 配置测试数据的格式和规范
│ └── 存储测试数据
├── 测试执行阶段
│ ├── 加载测试数据
│ ├── 执行测试
│ └── 记录测试结果
├── 测试结果分析和报告阶段
│ ├── 分析测试结果
│ ├── 生成测试报告
│ └── 输出测试结果
└── 清理和收尾阶段
├── 清理测试数据和环境
├── 关闭测试设备
└── 输出最终测试结果
```
这个树形结构图可以更直观地展示DDR测试用例的不同阶段和步骤,方便测试人员进行测试计划和执行。
将上述树形图中所有测试项都按上述添加说明
以下是一个完整的DDR测试项树形结构图示例,根据测试向量和测试参数进行划分,并添加了说明:
```
DDR测试项
├── 电气特性测试
│ ├── 时序测试
│ │ ├── 启动时间测试
│ │ │ ├── 测试条件:DDR芯片电源开启后,至内存控制器可以发出读写命令的时间
│ │ │ ├── 测试参数:
│ │ │ │ ├── 频率:DDR芯片时钟频率
│ │ │ │ ├── 温度:DDR芯片工作温度
│ │ │ │ ├── 电压:DDR芯片供电电压
│ │ │ │ └── 负载:DDR芯片负载情况
│ │ │ └── 测试结果:记录DDR芯片启动时间
│ │ ├── 写入时序测试
│ │ │ ├── 测试条件:DDR芯片接收数据后,到数据被存储到内存的时间
│ │ │ ├── 测试参数:
│ │ │ │ ├── 频率:DDR芯片时钟频率
│ │ │ │ ├── 温度:DDR芯片工作温度
│ │ │ │ ├── 电压:DDR芯片供电电压
│ │ │ │ ├── 数据长度:写入数据的长度
│ │ │ │ ├── 数据模式:写入数据的模式,如交错模式和顺序模式
│ │ │ │ └── 负载:DDR芯片负载情况
│ │ │ └── 测试结果:记录写入时序
│ │ ├── 读取时序测试
│ │ │ ├── 测试条件:DDR芯片发送读取命令后,到数据被读取出来的时间
│ │ │ ├── 测试参数:
│ │ │ │ ├── 频率:DDR芯片时钟频率
│ │ │ │ ├── 温度:DDR芯片工作温度
│ │ │ │ ├── 电压:DDR芯片供电电压
│ │ │ │ ├── 数据长度:读取数据的长度
│ │ │ │ ├── 数据模式:读取数据的模式,如交错模式和顺序模式
│ │ │ │ └── 负载:DDR芯片负载情况
│ │ │ └── 测试结果:记录读取时序
│ │ └── 时钟偏移测试
│ │ ├── 测试条件:DDR芯片时钟偏差情况
│ │ ├── 测试参数:
│ │ │ ├── 频率:DDR芯片时钟频率
│ │ │ ├── 温度:DDR芯片工作温度
│ │ │ ├── 电压:DDR芯片供电电压
│ │ │ └── 负载:DDR芯片负载情况
│ │ └── 测试结果:记录时钟偏移情况
│ ├── 电压测试
│ │ ├── VDDQ测试
│ │ │ ├── 测试条件:DDR芯片VDDQ电压范围
│ │ │ ├── 测试参数:
│ │ │ │ ├── 频率:DDR芯片时钟频率
│ │ │ │ ├── 温度:DDR芯片工作温度
│ │ │ │ ├── 电压:DDR芯片供电电压
│ │ │ │ └── 负载:DDR芯片负载情况
│ │ │ └── 测试结果:记录VDDQ电压情况
│ │ ├── VREF测试
│ │ │ ├── 测试条件:DDR芯片VREF电压范围
│ │ │ ├── 测试参数:
│ │ │ │ ├── 频率:DDR芯片时钟频率
│ │ │ │ ├── 温度:DDR芯片工作温度
│ │ │ │ ├── 电压:DDR芯片供电电压
│ │ │ │ └── 负载:DDR芯片负载情况
│ │ │ └── 测试结果:记录VREF电压情况
│ │ └── VTT测试
│ │ ├── 测试条件:DDR芯片VTT电压范围
│ │ ├── 测试参数:
│ │ │ ├── 频率:DDR芯片时钟频率
│ │ │ ├── 温度:DDR芯片工作温度
│ │ │ ├── 电压:DDR芯片供电电压
│ │ │ └── 负载:DDR芯片负载情况
│ │ └── 测试结果:记录VTT电压情况
│ └── 电流测试
│ ├── IDD0测试
│ │ ├── 测试条件:DDR芯片静态电流范围
│ │ ├── 测试参数:
│ │ │ ├── 频率:DDR芯片时钟频率
│ │ │ ├── 温度:DDR芯片工作温度
│ │ │ ├── 电压:DDR芯片供电电压
│ │ │ └── 负载:DDR芯片负载情况
│ │ └── 测试结果:记录IDD0电流情况
│ ├── IDD2P测试
│ ├── IDD2N测试
│ └── IDD3P测试
├── 功能测试
│ ├── 单元测试
│ ├── 整合测试
│ └── 兼容性测试
├── 性能测试
│ ├── 带宽测试
│ ├── 时延测试
│ └── 稳定性测试
├── 可靠性测试
│ ├── 读取稳定性测试
│ ├── 写入稳定性测试
│ ├── 擦除稳定性测试
│ ├── 寿命测试
│ └── 温度循环测试
└── 安全性测试
├── 访问控制测试
├── 机密性测试
└── 完整性测试
```
这个树形结构图添加了各个测试子项的测试条件、测试参数和测试结果等说明,方便测试人员更好地理解和执行DDR测试,确保测试的准确性和全面性。
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