rk3326 增加ddr驱动强度 源码修改

要增加RK3326 DDR驱动强度，需要修改内核源码并重新编译内核。具体的步骤如下：

1. 下载并解压内核源码：

git clone https://github.com/rockchip-linux/kernel.git
cd kernel/
git checkout -b rk3326-pie origin/release-4.4-rockchip-ayufan-bsp

2. 进入内核配置界面，启用DDR压力测试选项：

make ARCH=arm64 rockchip_rk3326_defconfig
make ARCH=arm64 menuconfig

在菜单中选择“Device Drivers” -> “Memory Technology Devices” -> “Rockchip DDR Stress Test Driver”，将其选中并保存退出。

3. 修改DDR驱动强度：

进入驱动源码目录：

cd drivers/mtd/nand/rk_nand/

编辑rk_nand.c文件，在rk_nfc_init函数中增加如下代码：

struct device_node *np = NULL;
u32 ddr_para[3] = {0x02000000, 0x0, 0x0};

np = of_find_compatible_node(NULL, NULL, "rockchip,rk3326-nand");
if (np)
    of_property_read_u32_array(np, "rockchip,ddr_para", ddr_para, ARRAY_SIZE(ddr_para));

nand_phy_ddr_set_para(ddr_para[0], ddr_para[1], ddr_para[2]);

其中，ddr_para数组中的三个值分别代表：PHY_CTL0，PHY_CTL1和PHY_CTL2。这些值需要根据实际情况调整，可以参考rk3326-nand.dtsi文件中的设置。

4. 编译内核：

make ARCH=arm64 rk3326-px30-evb.img -j8

5. 将新编译的内核烧录到设备中。