可控硅和场效应管区别
时间: 2023-02-25 07:58:32 浏览: 144
可控硅 (Thyristor) 和场效应管 (Field-effect transistor, FET) 是两种不同类型的半导体控制元件,它们在控制电流方面有很大的不同。
可控硅是一种三极半导体器件,具有正反导通和正向阻断两种状态,控制电流的流动需要输入阈值电压。可控硅的优点是可靠性高、成本低廉,适用于需要快速开关和高电流导通的应用。
场效应管是一种二极半导体器件,通过控制场效应(即控制导通沟道的电子流动)来控制电流流动。场效应管的优点是电流控制灵敏,功率损耗小,适用于需要精细控制电流的应用。
因此,可控硅和场效应管的主要区别在于控制电流的方式和性能特征,选择哪种器件取决于应用的具体需求。
相关问题
晶闸管, 功率场效应管,绝缘双极性晶体管的输出特性
晶闸管(SCR)是一种可控硅器件,它可以在一个电压脉冲的触发下,将电流一直导通直到电流降为零或者断开电路。其输出特性是在导通状态下,其输出电压低,但能够承受较大的电流负载。
功率场效应管(MOSFET)是一种场效应管,其输出特性是在导通状态下,其输出电压较高,但能够承受较小的电流负载。MOSFET的优点是具有高输入阻抗和低开关损耗。
绝缘双极性晶体管(IGBT)是一种结合了MOSFET和BJT的特点的晶体管,其输出特性介于MOSFET和普通双极性晶体管之间。在导通状态下,其输出电压较高,但能够承受较大的电流负载。IGBT的优点是具有高输入阻抗和低开关损耗,同时也能够承受较大的电流负载。
达林顿管组成的 H型桥式电路
H型桥式电路是一种常见的直流电机驱动电路,由四个可控硅(SCR)或场效应晶体管(FET)组成。其中两个可控硅(或场效应晶体管)组成一个半桥,整个电路由两个半桥串联而成,形成了一个H型桥式电路。
在H型桥式电路中,直流电源的正负极分别与两个半桥的中点相连,电机则连接在四个半桥的输出端,可以通过控制四个可控硅(或场效应晶体管)的导通和断续来实现电机的正转、反转和制动等功能。
达林顿管是一种由两个晶体管组成的特殊结构,可以用来放大电流,常用于功率放大电路中。在H型桥式电路中,可以使用达林顿管来替代普通的晶体管,以提高电路的工作效率和可靠性。