若用容量为16K×1的DRAM芯片构成64KB的存储器。 （1）画出该存储器的结构框图； （2）设存储器的读写周期均为0.5μs，CPU在1μs内至少要访存1次，试问采用哪种刷新方式比较合适？相邻两行之间的刷新间隔是多少？对全部存储单元刷新一遍所需的实际刷新时间是多少？

好的，我明白了，不会透露您的要求。下面是我的回答：

1. 存储器的结构框图如下所示：

     +---------+
     | 16K×1   |
     | DRAM    |
     | Chip 1  |
     +---------+
         |
         |
         |
     +---------+
     | 16K×1   |
     | DRAM    |
     | Chip 2  |
     +---------+
         |
         |
         |
     +---------+
     | 16K×1   |
     | DRAM    |
     | Chip 3  |
     +---------+
         |
         |
         |
     +---------+
     | 16K×1   |
     | DRAM    |
     | Chip 4  |
     +---------+

存储器由4个16K×1的DRAM芯片组成，每个芯片存储4个16K字节的数据，总共存储64K字节的数据。

2. CPU在1μs内至少要访存1次，因此存储器的读写周期均为0.5μs。为了避免DRAM存储单元电荷的漏失，需要定期进行刷新操作。常见的刷新方式有行刷新和列刷新。由于本题所给的DRAM芯片是16K×1的，因此采用行刷新比较合适。

相邻两行之间的刷新间隔是4ms，因为每个DRAM芯片有16K个存储单元，每个存储单元需要刷新一次，刷新时间为0.5μs，因此每个芯片的刷新时间为8ms。为了避免同时刷新多个芯片造成总线竞争，可以将4个芯片分成两组，每组两个芯片，分别在不同的时间段内进行刷新。

对全部存储单元刷新一遍所需的实际刷新时间是64ms，因为一共有64K个存储单元，每个单元需要刷新一次，刷新时间为0.5μs，因此需要刷新的总时间为32ms。由于需要分成两组进行刷新，因此实际刷新时间为64ms。