用C语言写一段代码，实现flash模拟eeporm的读写操作

在C语言中，模拟EEPROM的读写操作通常会通过位操作或者文件IO来实现，因为真正的EEPROM是硬件级别的存储，C语言不会直接提供模拟EEPROM的操作。但我们可以创建一个简单的内存映射结构来模拟这个过程。这里是一个简化的示例，我们使用数组来代表EEPROM的存储空间，并提供read和write函数：

#include <stdio.h>
#include <stdlib.h>

// 模拟EEPROM大小
#define EEPROM_SIZE 100

// 每个字节的地址偏移量
#define EEPROM_ADDRESS_SHIFT 8

typedef struct {
    unsigned char data[EEPROM_SIZE];
} EEPROM仿真;

void eeprom_write(EEPROM仿真* eeprom, int address, int value) {
    if (address >= 0 && address < EEPROM_SIZE) {
        eeprom->data[address] = value;
    } else {
        printf("Invalid address: %d\n", address);
    }
}

int eeprom_read(EEPROM仿真* eeprom, int address) {
    if (address >= 0 && address < EEPROM_SIZE) {
        return eeprom->data[address];
    } else {
        printf("Invalid address: %d\n", address);
        return -1; // 返回错误值
    }
}

int main() {
    EEPROM仿真 eeprom;
    eeprom_write(&eeprom, 5, 'A'); // 写入数据
    int read_value = eeprom_read(&eeprom, 5); // 读取数据
    if (read_value != -1) {
        printf("Read value at address 5: %c\n", read_value);
    }
    return 0;
}

在这个例子中，`eeprom_write`用于写入数据，`eeprom_read`用于读取数据，实际使用时可以根据需要扩展更多的功能，如错误处理、分区等。