NOR Flash是如何实现随机存取和数据存储的？请详细描述其背后的物理原理和工作机制。

NOR Flash通过其独特的浮栅双极性晶体管（Floating Gate Bipolar Transistor）结构实现了随机存取和数据存储。每个存储单元由一个控制闸和一个浮栅组成，浮栅被一个绝缘层包围，形成了一个能够存储电荷的“陷阱”。这些电荷的状态决定了存储单元的逻辑值。

参考资源链接：[NOR Flash技术详解：原理与应用](https://wenku.csdn.net/doc/u5u1ivqivs?spm=1055.2569.3001.10343)

在随机存取操作中，NOR Flash利用其完整的地址和数据总线，能够直接在存储器上执行指令，这在执行代码时显得尤为重要。当读取操作发生时，通过向控制闸施加特定的电压，可以确定通道是否导通。如果浮栅中存储了电荷（通常是一个电子），则该存储单元的阈值电压会升高，导致通道不易导通，读取到的是“0”。如果浮栅中没有存储电荷，通道的导通性好，读取到的是“1”。

数据存储则是通过改变浮栅上的电荷量实现的。写入操作（编程）需要较高电压来将电子注入到浮栅中，通过控制电荷的数量来设置存储单元为“0”或“1”。抹除操作则需要相反的极性高电压，使电子通过量子隧道效应从浮栅中逃逸，将存储单元重置为“1”。

这种基于浮栅的存储机制允许NOR Flash具有较高的耐用性，能够承受上万次的抹写循环，这对于需要经常读写数据的应用场景来说至关重要。由于其能够实现按字节的精确写入和块级的抹除，NOR Flash在需要可靠性和执行代码的嵌入式系统中发挥着重要作用。

如果想要更深入地了解NOR Flash的原理和技术细节，我建议参考《NOR Flash技术详解：原理与应用》。这本书提供了对NOR Flash技术的全面介绍，包括其工作原理、物理结构、编程和抹除过程等，是解决你当前问题的宝贵资源。

参考资源链接：[NOR Flash技术详解：原理与应用](https://wenku.csdn.net/doc/u5u1ivqivs?spm=1055.2569.3001.10343)