LDO功率管用NMOS与PMOS的优缺点
时间: 2023-06-09 21:06:18 浏览: 567
nmos与pmos LDO 的区别
NMOS与PMOS的主要优缺点如下:
NMOS的优点:
1. NMOS管的通道电阻小,可以实现较大的电流输出;
2. NMOS的输入电阻很大,使得其在输入端可以接受较小的电流信号;
3. NMOS组成的逻辑门结构简单,速度快,体积小,功率消耗少。
NMOS的缺点:
1. NMOS管的导通电阻大于PMOS管,功率消耗较大;
2. NMOS的输出电平不能达到芯片供电电压的上限,不能实现全范围输出;
3. NMOS在关闭状态下需要一个负电压偏置,以维持输出电平为低电平。这意味着NMOS无法直接形成双极性输出,需要特殊的电路设计。
PMOS的优点:
1. PMOS的通道电阻较小,也可以实现较大的电流输出;
2. PMOS的输入电阻很大,使其在输入端可以接受较小的电流信号;
3. PMOS可以直接输出芯片供电电压的上限,实现全范围输出。
PMOS的缺点:
1. PMOS管的导通电阻大于NMOS管,功率消耗较大;
2. 由于PMOS的输出电平不能达到芯片的地电位,因此PMOS无法直接形成双极性输出,需要特殊的电路设计;
3. PMOS组成的逻辑门结构较为复杂,速度较慢,体积较大,功耗较多。
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