PMOS管增强型导通条件

PMOS（P-channel Metal-Oxide-Semiconductor）管是一种晶体管，属于MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）的一种。当PMOS处于增强型工作模式时，它的导通条件如下：

1. **栅极电压正偏**：PMOS管的栅极相对于源极施加一个正向电压。通常，这个电压会比源极到漏极之间的电压(VGS)高，例如VGS > 0V。

2. **沟道截止状态**：在开启之前，如果没有外部电压控制，沟道（由氧化层和硅构成）几乎是关闭的，即电子难以从源极通过栅极进入漏极。

3. **开启阈值电压**：当栅极电压超过某个特定值，称为开启阈值电压（VTn），沟道开始允许电流流过。对于PMOS管，这个阈值通常是负的，因为它是N型半导体的反向区域。

4. **通道形成**：随着VGS增加，更多的少数载流子（空穴）被注入到N型半导体的反型层，形成一个电导性的“通道”，使得从源极到漏极的电流得以流动。

5. **电流放大作用**：尽管PMOS不是电流驱动器件，但它可以放大电压，当漏极电压高于源极时，漏极电流I_D正比于栅极电压的变化。