low power semiconductor devices and process for emerging applications in com

时间: 2023-09-19 19:03:12 浏览: 148
低功耗半导体器件和工艺是应对通信领域新兴应用需求的一项重要技术。随着物联网、5G通信和可穿戴设备等技术的兴起,对能效高、功耗低的半导体器件的需求也越来越大。 在低功耗半导体器件的设计和制造中,有几个关键的方面需要考虑。首先,材料的选择非常重要。目前,砷化镓(GaAs)和碳化硅(SiC)是常用的材料,它们具有较高的载流子迁移率和较低的功耗。同时,要考虑到材料的成本和可制造性。 其次,器件结构的优化也是重要的一步。例如,引入多栅结构、高介电常数材料和亚微米尺寸的金属栅极等,都可以提高器件的效能和降低功耗。 除了器件结构,设备工艺也是提高功耗效率的关键因素。采用先进的工艺技术,如低功耗CMOS工艺,可以提高器件的性能和效率。此外,还可以采用一些特殊的工艺步骤,如背面反射层、导电背面填充和后处理退火等,来改善器件的电学特性和功耗。 总的来说,低功耗半导体器件和工艺是为了满足新兴通信应用中对能耗更低的需求而发展起来的技术。通过选择合适的材料、优化器件结构和采用先进工艺,可以实现低功耗、高效能的半导体器件,从而推动通信领域的创新发展。
相关问题

fundamentals of power semiconductor devices

功率半导体器件的基础概念是指了解和掌握功率半导体器件的一些基本知识和原理。功率半导体器件是一类用于控制和转换电能的半导体元件,其具有较高的功率密度,广泛应用于电力电子、工业控制和能源转换等领域。 在功率半导体器件的基础概念中,首先需要了解的是功率半导体器件的种类。常见的功率半导体器件包括晶闸管、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)、金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)等。这些器件在不同的应用场合中具有不同的特点和优势。 其次,了解功率半导体器件的工作原理也是非常重要的。功率半导体器件的工作原理涉及到电流与电压的关系、开关行为和能量转换等方面。理解它们的工作原理有助于我们正确使用这些器件,并能进行灵活地控制。 此外,功率半导体器件的特性参数也是基础概念的一部分。了解这些参数,如最大工作电压、最大工作电流、导通和截止特性等,可以帮助我们选择适合的器件并预测其在实际电路中的行为。 最后,了解功率半导体器件的散热和保护是基础概念的重要内容。由于功率半导体器件在工作过程中会产生热量,因此必须进行散热处理,以确保器件的正常工作。同时,保护电路也非常关键,可以避免器件过载、过热或其他故障引起的损坏。 总之,掌握功率半导体器件的基础概念,包括器件种类、工作原理、特性参数以及散热和保护等方面的知识,对于学习和应用功率电子技术具有重要意义。只有建立在坚实的基础之上,才能更好地理解和应用功率半导体器件。

modern semiconductor devices for integrated circuits csdn

现代半导体器件用于集成电路,具有许多优势。 首先,现代半导体器件如晶体管可以实现快速响应和高速运算。相比之前使用的真空管等设备,半导体器件更小巧轻便,功耗低,同时可以在更宽的温度范围内工作。 其次,集成电路可以将大量的电子元件集成在一个芯片上,使得电路板的体积更小,功耗更低。半导体器件的微小尺寸和高集成度使得现代电子设备在性能和功能上有了长足的发展。例如,现今的智能手机内部集成了处理器、存储器、通信芯片等多种功能,使得手机可以实现高效运算、无线通信和存储数据等多种功能。 此外,现代半导体器件还具有可靠性高、抗干扰能力强等特点。在电路设计中,故障率和抗干扰能力是非常重要的考虑因素。现代半导体器件相比于传统的电子元件,具有更低的故障率和更强的抗干扰能力,是电子设备稳定运行的保障。 在科技的快速发展过程中,现代半导体器件不断为我们提供了更多的机遇和挑战。随着集成度更高、功耗更低、性能更强大的半导体器件不断涌现,集成电路的应用范围将更广泛,电子产品的功能将更加多样化和智能化。同时,也需要不断提高对半导体器件的研究和开发,以应对日益复杂和多样化的需求,推动现代半导体技术的发展。

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WIDE bandgap devices, such as silicon carbide (SiC) metal–oxide–semiconductor field-effect transis- tors (MOSFETs) present superior performance compared to their silicon counterparts [1]. Their lower ON-state resistance and faster switching capability attract lots of interest in high-power- density applications [2]. Faster switching speed enables lower switching loss and higher switching frequency, which is benefi- cial to high-efficiency and high power density. However, severe electromagnetic interference (EMI) and transient overvoltage issues caused by fast switching speed jeopardize the power quality and reliability of converters [3], [4]. Therefore, there is a tradeoff between efficiency and reliability in the choice of switching speed. An optimized design should ensure theoperation within both safe-operation-area and EMI limits, and switching loss should be as small as possible. A prediction method of switching performance is important and helpful for designer to evaluate and optimize converter design. The most concerned switching characteristics are switching loss, dv/dt, di/dt, and turn-ON/OFF overvoltage generally. These characteristics are crucial for the design of heatsink, filter, and gate driver. Related discussions have been presented in many existing research articles as following.请将这一段进行以下要求,Move analysis 语步(内容成分)分析; Language devices和实现该功能的语言手段(某些关键专有名词提供汉语翻译)

翻译The complex 3D geometries of these submillimeter-scale robots originate from planar (2D) multilayer assemblies formed with deposition and patterning techniques used in the semiconductor industry. Figure 1 (A and B) illustrates the process of transformation that converts these 2D precursors into 3D shapes for the case of a design inspired by the geometry of a peekytoe crab (Cancer irroratus) but engineered to a much smaller dimensions (~1/150 of the actual size; fig. S1). The precursors incorporate layers of SMA (nitinol; 2.5 m in thickness) as a collection of dynamic mechanical joints for locomotion, a film of polyimide (PI; ~8 m in thickness) as a static skeleton for structural support, and pads of silicon dioxide (SiO2; 100 nm in thickness) as bonding sites in the 2D to 3D transformation process (left frames in Fig. 1, A and B). This process begins with transfer printing to deliver these 2D precursors onto the surface of a prestretched silicone elastomer (Dragon Skin 10 Slow, ~500 m in thickness) that supports structures of polydimethylsiloxane (PDMS; blocks) located near the claws and back legs (middle frame in Fig. 1B). Releasing the prestrain imposes compressive stresses at the bonding sites, with forces sufficient to convert the 2D structures into 3D architectures via a set of controlled bending/ twisting deformations and translational/rotational motions (31, 32). During this process, the distance between the two PDMS blocks also decreases, thereby deforming the claws and back legs. This transformation involves peak strains (<4%) that lie below the maximum phase transition strain of the SMA (right frame in Fig. 1B).

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