nand flash寻址
时间: 2023-07-14 07:06:53 浏览: 93
NAND闪存的寻址方式是基于块(Block)和页(Page)的概念。每个块由多个页组成,而每个页又包含多个字节(Byte)。
在NAND闪存中,寻址是以页为单位进行的。通常,一个页的大小为2KB、4KB或8KB。闪存内部的控制器通过地址线和数据线与芯片进行通信。
对于典型的NAND闪存芯片,寻址过程如下:
1. 首先,选择要访问的块号(Block Address)。
2. 然后,选择要访问的页号(Page Address)。
3. 最后,选择要访问的字节号(Byte Address)。
通过这种方式,可以定位到具体的页和字节,从而进行读取或写入操作。
需要注意的是,由于NAND闪存芯片在擦除操作时是以块为单位进行的,所以在写入新数据之前,需要先将整个块擦除为全1状态。这也是NAND闪存相对于 NOR闪存的一个特点。
相关问题
nand flash
NAND Flash是一种主流的非易失性存储器件,用于存储大量的数据。它是由许多的存储单元组成的,每个存储单元包含一个选通晶体管和一个储存电荷的浮动栅。NAND Flash在大容量、低功耗、高速度、高可靠性等方面具有很大的优势,因此被广泛应用于存储器卡、USB闪存盘、固态硬盘等存储设备中。
在NAND Flash中,数据是以块的方式进行读写,每个块包含多个页(通常为64个或128个),每个页又包含多个扇区(通常为512字节或2048字节)。为了实现高速读写和大容量存储,NAND Flash采用了一些特殊的技术,如多级存储、ECC纠错、TRIM命令等。
NAND flash Nor flash
NAND flash和NOR flash是两种不同类型的闪存技术。
NAND flash是一种高数据存储密度的解决方案,适用于存储大量数据的应用。它的读取是以一次读取一块的形式进行,通常一次读取512个字节。由于采用了较为廉价的技术,NAND flash在生产成本上具有优势。然而,用户不能直接在NAND flash上运行代码,因此很多使用NAND flash的开发板会添加一个小的NOR flash来运行启动代码。
相反,NOR flash具有与我们常见的SDRAM类似的读取方式,用户可以直接运行存储在NOR flash中的代码。因此,NOR flash可以减少SRAM的容量,从而节约成本。然而,NOR flash的写入和擦除速度较慢,这在性能上存在一定的局限性[3]。
综上所述,NAND flash和NOR flash在存储方式、读取方式和性能上有所不同,适用于不同的应用场景。NAND flash适用于需要高数据存储密度的应用,而NOR flash适用于需要直接运行存储在闪存中的代码的应用。<span class="em">1</span><span class="em">2</span><span class="em">3</span>
#### 引用[.reference_title]
- *1* *2* *3* [NAND flash和NOR flash的区别详解](https://blog.csdn.net/sonbai/article/details/8453349)[target="_blank" data-report-click={"spm":"1018.2226.3001.9630","extra":{"utm_source":"vip_chatgpt_common_search_pc_result","utm_medium":"distribute.pc_search_result.none-task-cask-2~all~insert_cask~default-1-null.142^v93^chatsearchT3_2"}}] [.reference_item style="max-width: 100%"]
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