stm32f030flash存储数据

STM32F030系列微控制器内部集成了闪存存储器，可以用来存储数据。闪存存储器是非易失性存储器，意味着即使断电也能保留数据。

在STM32F030微控制器上，可以使用标准外设库或者HAL库中的函数来编程访问闪存存储器。以下是一个简单的示例代码，展示如何使用HAL库来读写闪存存储器中的数据：

#include "stm32f0xx_hal.h"

#define FLASH_USER_START_ADDR   ADDR_FLASH_PAGE_31   // 闪存存储器起始地址
#define FLASH_USER_END_ADDR     ADDR_FLASH_PAGE_31 + FLASH_PAGE_SIZE - 1   // 闪存存储器结束地址

void write_data_to_flash(uint32_t address, uint32_t data)
{
    HAL_FLASH_Unlock();   // 解锁闪存

    FLASH_EraseInitTypeDef eraseInitStruct;
    eraseInitStruct.TypeErase = FLASH_TYPEERASE_PAGES;
    eraseInitStruct.PageAddress = address;
    eraseInitStruct.NbPages = 1;

    uint32_t pageError = 0;
    HAL_FLASHEx_Erase(&eraseInitStruct,＊＊＊除指定页

    HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_WORD, address, data);   // 写入数据

    HAL_FLASH_Lock();   // 锁定闪存
}

uint32_t read_data_from_flash(uint32_t address)
{
    return *(__IO uint32_t*)address;   // 读取数据
}

int main(void)
{
    HAL_Init();
    // 其他初始化设置

    uint32_t data_to_write = 0xABCD1234;
    write_data_to_flash(FLASH_USER_START_ADDR, data_to_write);

    uint32_t data_read = read_data_from_flash(FLASH_USER_START_ADDR);

    while (1)
    {
        // 主循环
    }
}

在这个示例代码中，`write_data_to_flash`函数用于将数据写入闪存存储器，`read_data_from_flash`函数用于从闪存存储器中读取数据。你可以根据自己的需求修改起始地址和数据内容。需要注意的是，写入数据之前需要先擦除指定的闪存页。

请注意，闪存存储器有一定的擦除次数限制，因此谨慎使用擦除操作。在实际应用中，请根据芯片规格手册和相关库函数的文档进行详细的编程操作。