AT28C16 EEPROM如何在低功耗模式下操作，并在数据读写时保持快速响应？

AT28C16 EEPROM的低功耗操作主要是通过其内部CMOS电路设计实现的，这种设计在待机模式下仅需极低的工作电流，大约为100微安。在正常工作模式下，工作电流也仅为30毫安，这对于电池供电或对功耗有严格要求的系统来说是非常有利的。低功耗模式的触发通常与片选输入（CE）和输出使能（OE）引脚的状态有关，当这两个引脚处于非激活状态时，设备可以进入低功耗模式。

参考资源链接：[AT28C16 16K Parallel EEPROM技术规格与应用](https://wenku.csdn.net/doc/7ofqqyzsru?spm=1055.2569.3001.10343)

在数据读写操作中，AT28C16保持快速响应的主要机制是其快速读取访问时间和快速字节写入功能。快速读取访问时间仅为150纳秒，这意味着数据可以几乎无延迟地被读取。快速字节写入则包括两种模式，分别是200微秒和1毫秒的写入周期，均由内部控制计时器管理，无需外部时钟信号，从而实现了快速响应。此外，片选输入（CE）和写使能（WE）引脚的适当控制可以进一步优化数据读写的时序，确保在进行读写操作时，设备能够以最快的速度响应外部请求，同时仍然维持低功耗状态。

为了帮助理解AT28C16的这些工作原理和操作方式，推荐阅读《AT28C16 16K Parallel EEPROM技术规格与应用》。该资料详细介绍了AT28C16的电气特性和工作模式，通过阅读，可以更深入地掌握如何在不同应用中利用其快速响应和低功耗特性。

参考资源链接：[AT28C16 16K Parallel EEPROM技术规格与应用](https://wenku.csdn.net/doc/7ofqqyzsru?spm=1055.2569.3001.10343)