SAlicide Block

S Alicide Block，通常指的是一种策略或者现象，在软件工程、特别是在并发编程领域中，它指的是在单线程环境中故意插入一段空闲时间（也称为"死锁等待"），以避免在竞争资源时形成死锁的情况。这种做法被称为“主动饿死”或“自杀式阻塞”，其目的是为了防止两个或多个线程相互等待对方释放资源而陷入无限期的僵持状态。

当一个线程持有部分资源，但还需要其他线程持有的资源才能继续时，如果它暂时无法获取那些资源，会选择放弃当前的处理并进入睡眠状态，直到有另一个线程释放了它需要的资源。这种方式虽然可能导致一些性能损失，但在某些情况下能够防止系统崩溃，并通过算法设计来优化资源分配策略。

相关问题

silicide/salicide制程

Silicide和Salicide制程都是半导体工艺中的一种。它们是用于制作互连电极和源极/漏极金属化的技术。这些技术可以提高晶体管的性能和可靠性。

Silicide制程是将金属沉积在硅表面，然后在高温下反应形成金硅化物。这个过程需要进行两次快速热退火（RTA），以确保金属与硅充分反应并形成稳定的金硅化物层。Silicide制程通常用于CMOS和BiCMOS制程。

Salicide制程是其中一种改进的Silicide制程，它是选择性金属化的自对准工艺，可以在不影响晶体管的结构和性能的情况下形成金硅化物层。这个过程也需要进行两次RTA，以确保金硅化物层的稳定性和可靠性。Salicide制程通常用于高速器件的制造中。