静态半导体存储器与动态半导体存储器的主要区别是什么?

静态半导体存储器（SRAM）和动态半导体存储器（DRAM）是两种常见的半导体存储器。它们的主要区别在于：

1. 存储单元的构成：SRAM的存储单元由多个触发器组成，每个触发器可以存储一个比特信息；而DRAM的存储单元由一个电容和一个晶体管组成，一个电容可以存储一个比特信息。

2. 存储稳定性：SRAM的存储稳定性比DRAM高，因为SRAM的存储单元是由触发器构成的，只要电源不中断，存储的数据就不会丢失；而DRAM的存储单元是由电容构成的，需要定期刷新以避免数据丢失。

3. 访问速度：SRAM的访问速度比DRAM快，因为SRAM的存储单元由触发器构成，读写速度很快，而DRAM需要通过电容充电和放电来读取和写入数据，速度较慢。

4. 功耗：SRAM的功耗比DRAM高，因为SRAM的存储单元由多个触发器组成，需要消耗更多的能量来维持存储状态；而DRAM的存储单元只需要一个电容和一个晶体管，相对更节能。

总的来说，SRAM适合于需要高速读写、存储稳定的场合，如高级缓存和寄存器等；而DRAM适合于需要大容量存储、低成本的场合，如随机存储器等。