静态半导体存储器与动态半导体存储器的主要区别是什么？ 由两片 6116 (2K8) 怎样扩展成 (2K16) 或 (4K*8) 的存储器？怎样连线？ 查阅 611 6芯片的数据手册，在 CE=0、 OE=0、WE=1的条件下，当输入的地址信息变化时，输出的数据是否会相应变化？是否有延迟？

静态半导体存储器和动态半导体存储器的主要区别在于存储数据的方式不同。静态半导体存储器是使用触发器来存储数据的，因此可以保持数据的稳定性，读取速度较快，但价格较高。动态半导体存储器是使用电容来存储数据的，需要不断的刷新以保持数据的稳定性，读取速度相对较慢，但价格较低。

将两片6116 (2K8)扩展成(2K16)或(4K*8)的存储器，可以使用芯片使能信号（CE）和地址引脚来实现。具体连线方式如下：

- 将两片6116的CE引脚连接到同一个信号线，使它们同时工作。
- 将地址线A0-A10连接到两片芯片的地址引脚上，这样可以扩展到2K16的存储器。
- 如果要扩展到4K*8的存储器，则需要将两片芯片的数据引脚（D0-D7）分别连接到一个数据总线上。

根据6116芯片的数据手册，在CE=0、OE=0、WE=1的条件下，当输入的地址信息变化时，输出的数据会相应变化，且没有延迟。这意味着，只要满足这些条件，6116芯片可以实时响应地址的变化，输出正确的数据。

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静态存储器2114芯片介绍

静态存储器2114芯片，通常是指2K×4位的CMOS静态随机访问存储器（SRAM）。这种类型的芯片以其快速的读写速度和无需电源维持数据的特点而知名。每个2114芯片提供了2048个存储单元，每个单元可以存储一位二进制数据，因此总共有4096个字节的数据容量。

具体来说，它的工作原理如下：
1. 静态存储器使用双极型互补金属氧化物半导体（BiCMOS）技术制造，不需要像动态RAM那样定期刷新数据。
2. 它具有低延迟，因为数据可以直接从内存地址读取或写入，而无需像DRAM那样经历周期性的刷新操作。
3. 由于它的非易失性，即使电源断开，存储的信息也能保持。