p-mos与n-mos区别

p-MOS和n-MOS是两种基本的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）型号，它们在电路设计中都有广泛应用。它们的区别在于它们的控制电压和导通方式。

1. 控制电压方面：p-MOS与n-MOS的控制电压相反，p-MOS的控制电压为负电压，n-MOS的控制电压为正电压。

2. 导通方式方面：p-MOS和n-MOS的导通方式也不同，p-MOS是通过控制电压的降低实现导通，而n-MOS则是通过控制电压的升高实现导通。

3. 应用场合方面：p-MOS主要用于负逻辑电路，如CMOS电路中的负载管和上拉管等，而n-MOS主要用于正逻辑电路，如CMOS电路中的下拉管和开关管等。

总的来说，p-MOS和n-MOS在电路设计中被用于不同的场合，但它们的基本原理都是一样的，都是通过控制栅极电压来控制通道的导通和截止，实现电路的控制和运算。

相关问题

光藕控制n-mos管电路图

光藕控制n-MOS管电路图是一种利用光藕效应控制n-MOS管的电路。光藕效应是一种基于半导体材料的光电转换现象，在特定条件下，光照可以改变材料的电学性质。

光藕控制n-MOS管电路图包括以下几个主要组成部分：光源、光敏元件、n-MOS管和电源。

光源是用来产生光照的元件，通常使用LED或激光二极管等光源来提供光照。光敏元件则是用来检测光照并产生相应电信号的器件，常见的光敏元件有光二极管、光敏电阻等。

n-MOS管是一种N沟道MOS场效应管，其内部有一个P型衬底、一个N+源极和一个N+漏极。当给n-MOS管的栅极施加电压时，栅极和源极之间的导电性也会发生变化，从而改变了管道的电流。

在光藕控制n-MOS管电路图中，光照通过光源照射到光敏元件上。当光敏元件感受到光照时，其会产生电信号，并通过电路传递给n-MOS管的栅极。栅极接收到的电信号将会改变n-MOS管的导电性，从而控制管道的电流。

电源则是为整个电路提供所需的电能，保证光藕控制n-MOS管电路图正常工作。

总而言之，光藕控制n-MOS管电路图利用光敏元件感受光照，并将光照转化为电信号，最终通过改变n-MOS管的导电性来控制管道的电流。该电路图在实际应用中可用于光控开关、光控调光等领域。

输入高电平时不是P-MOS管导通吗

对不起，我之前的回答有误。在开漏输出模式下，P-MOS管的导通与输入电平是相关的。

当输入为高电平时，N-MOS管断开，P-MOS管导通。这是因为P-MOS管的栅极电压与源极电压之差为正值时，P-MOS管处于导通状态。

当输入为低电平时，N-MOS管导通，P-MOS管断开。此时通过外部上拉电阻将输出线路拉高。

所以，在开漏输出模式下，P-MOS管的导通与输入电平是相反的。非常抱歉之前的错误回答给您带来困惑。