p-mos与n-mos区别

p-MOS和n-MOS是两种基本的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）型号，它们在电路设计中都有广泛应用。它们的区别在于它们的控制电压和导通方式。

1. 控制电压方面：p-MOS与n-MOS的控制电压相反，p-MOS的控制电压为负电压，n-MOS的控制电压为正电压。

2. 导通方式方面：p-MOS和n-MOS的导通方式也不同，p-MOS是通过控制电压的降低实现导通，而n-MOS则是通过控制电压的升高实现导通。

3. 应用场合方面：p-MOS主要用于负逻辑电路，如CMOS电路中的负载管和上拉管等，而n-MOS主要用于正逻辑电路，如CMOS电路中的下拉管和开关管等。

总的来说，p-MOS和n-MOS在电路设计中被用于不同的场合，但它们的基本原理都是一样的，都是通过控制栅极电压来控制通道的导通和截止，实现电路的控制和运算。