stm32 eeprom写入的数据递增代码
时间: 2023-09-09 11:14:45 浏览: 50
在STM32微控制器上,通常使用Flash内存来模拟EEPROM功能。以下是一个示例的STM32 EEPROM数据递增写入的代码片段,使用HAL库作为示例:
```c
#include "stm32f4xx_hal.h"
#include "stm32f4xx_hal_flash.h"
// 定义Flash的起始地址
#define EEPROM_ADDRESS ((uint32_t)0x080E0000)
// 定义数据递增的次数
#define INCREMENT_TIMES 10
// 定义Flash操作相关变量
FLASH_EraseInitTypeDef eraseInitStruct;
uint32_t PAGEError = 0;
void HAL_FLASH_ErrorCallback(uint32_t errorCode) {
// 错误处理函数,可以根据实际需求进行处理
// 这里只是简单地输出错误代码到串口
printf("Flash error: %lx\r\n", errorCode);
}
void writeValueToEEPROM(uint32_t address, uint32_t value) {
if (HAL_FLASH_Unlock() != HAL_OK) {
// Flash解锁失败,可以进行相应的错误处理
return;
}
eraseInitStruct.TypeErase = FLASH_TYPEERASE_PAGES;
eraseInitStruct.PageAddress = address;
eraseInitStruct.NbPages = 1;
if (HAL_FLASHEx_Erase(&eraseInitStruct, &PAGEError) != HAL_OK) {
// Flash擦除失败,可以进行相应的错误处理
return;
}
if (HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_WORD, address, value) != HAL_OK) {
// Flash编程失败,可以进行相应的错误处理
return;
}
if (HAL_FLASH_Lock() != HAL_OK) {
// Flash加锁失败,可以进行相应的错误处理
return;
}
}
int main(void) {
// 初始化Flash
HAL_Init();
// 配置Flash操作相关回调函数
HAL_FLASH_RegisterCallback(HAL_FLASH_ERROR_CB_ID, HAL_FLASH_ErrorCallback);
// 读取当前值
uint32_t currentValue = *(uint32_t*)EEPROM_ADDRESS;
printf("Current value: %lu\r\n", currentValue);
// 数据递增并写入EEPROM
for (int i = 0; i < INCREMENT_TIMES; i++) {
currentValue++; // 数据递增
// 写入EEPROM
writeValueToEEPROM(EEPROM_ADDRESS, currentValue);
printf("New value: %lu\r\n", currentValue);
// 延时一段时间,以便观察输出
HAL_Delay(1000);
}
while (1) {
// 主循环
}
}
```
这个代码片段中,我们使用了HAL库来进行Flash的擦除和编程操作。在`writeValueToEEPROM()`函数中,首先进行Flash解锁,然后使用`HAL_FLASHEx_Erase()`函数来擦除指定页的数据。接着,使用`HAL_FLASH_Program()`函数将新值写入Flash。最后,使用`HAL_FLASH_Lock()`函数将Flash加锁。
在主函数中,首先初始化Flash和相关回调函数。然后,读取当前存储在EEPROM中的值,并输出到串口。接下来,使用一个循环进行数据递增并写入EEPROM。每次递增后,都会输出新值到串口,并延时1秒钟以便观察输出。循环执行的次数由`INCREMENT_TIMES`宏定义指定。
请注意,这只是一个简单的示例代码,实际应用中可能需要根据具体的需求进行适当的修改和扩展。另外,Flash操作可能需要根据具体的STM32系列和型号进行适配,请查阅相关的芯片文档以了解具体细节。