stm32F030 FLASH 模拟eeprom代码

以下是基于STM32F030芯片实现FLASH模拟EEPROM的代码示例：

#include "stm32f0xx.h"

#define FLASH_START_ADDR    ((uint32_t)0x08007800)  // FLASH起始地址
#define FLASH_END_ADDR      ((uint32_t)0x08008000)  // FLASH结束地址
#define FLASH_PAGE_SIZE     ((uint32_t)0x400)       // FLASH页大小
#define EEPROM_START_ADDR   FLASH_START_ADDR        // EEPROM起始地址
#define EEPROM_END_ADDR     FLASH_END_ADDR          // EEPROM结束地址
#define EEPROM_PAGE_SIZE    FLASH_PAGE_SIZE         // EEPROM页大小
#define EEPROM_SIZE         (EEPROM_END_ADDR - EEPROM_START_ADDR) // EEPROM大小

// 初始化FLASH
void FLASH_Init(void)
{
    // 解锁FLASH
    FLASH_Unlock();

    // 设置FLASH擦除和编程时的操作
    FLASH_EraseSetPrgVoltage(FLASH_PROGRAM_VOLTAGE_RANGE_3);

    // 禁用FLASH擦除和编程的错误中断
    FLASH_DisableInterruptions();

    // 锁定FLASH
    FLASH_Lock();
}

// 读取EEPROM数据
uint32_t EEPROM_Read(uint32_t addr)
{
    return *(volatile uint32_t *)addr;
}

// 写入EEPROM数据
void EEPROM_Write(uint32_t addr, uint32_t data)
{
    // 判断地址是否在EEPROM范围内
    if (addr >= EEPROM_START_ADDR && addr < EEPROM_END_ADDR)
    {
        uint32_t page_num = (addr - EEPROM_START_ADDR) / EEPROM_PAGE_SIZE; // 计算页号
        uint32_t page_addr = EEPROM_START_ADDR + page_num * EEPROM_PAGE_SIZE; // 计算页起始地址

        // 判断该页是否已经擦除
        if ((*(volatile uint32_t *)page_addr) != 0xFFFFFFFF)
        {
            // 解锁FLASH
            FLASH_Unlock();

            // 擦除该页
            FLASH_ErasePage(page_addr);

            // 锁定FLASH
            FLASH_Lock();
        }

        // 写入数据
        *(volatile uint32_t *)addr = data;
    }
}

int main(void)
{
    uint32_t data = 0;

    FLASH_Init(); // 初始化FLASH

    // 读取和写入EEPROM数据
    data = EEPROM_Read(EEPROM_START_ADDR);
    EEPROM_Write(EEPROM_START_ADDR, data + 1);

    while (1)
    {
        // 循环
    }
}

以上代码实现了对FLASH的初始化、读取和写入EEPROM数据的功能。在写入EEPROM数据时，首先判断地址是否在EEPROM范围内，然后计算出页号和页起始地址，判断该页是否已经擦除，如果没有擦除，则擦除该页，最后写入数据。需要注意的是，在写入数据时，需要使用`volatile`关键字，以确保编译器不会对该变量进行优化。此外，需要在初始化时使用`FLASH_Unlock()`和`FLASH_Lock()`解锁和锁定FLASH，以确保能够对FLASH进行擦除和编程操作。