Device count (based on CP wafer):gross die from MEMS or 当前fab-lot中可追溯的最大的CP wafer device count 什么意思
时间: 2024-04-22 15:22:45 浏览: 17
这段话是关于半导体制造中与晶圆产量相关的术语。其中,CP wafer是指晶圆上的晶体管,而gross die指的是晶圆上的总晶体管数量。而"Device count (based on CP wafer)"则是基于晶圆上晶体管数量的设备计数。而后面的"当前fab-lot中可追溯的最大的CP wafer device count"则是指当前工厂批次中可追溯的最大晶体管数量。
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基于autocad VBA自动画wafer map,计算gross die per wafer的详细代码
好的,下面是一个基于AutoCAD VBA的示例代码,用于自动画wafer map并计算gross die per wafer。该示例代码仅供参考,具体实现可能需要根据您的具体需求进行修改。
```
Sub DrawWaferMap()
'设置wafer大小和die大小
Dim waferSize As Double
Dim dieSize As Double
waferSize = 10 'wafer尺寸为10mm
dieSize = 1 'die尺寸为1mm
'计算每个wafer的gross die数量
Dim grossDiePerWafer As Integer
grossDiePerWafer = Application.WorksheetFunction.Floor(Application.WorksheetFunction.Pi() * (waferSize / 2) ^ 2 / dieSize, 1)
'设置wafer map的中心点和偏移量
Dim centerX As Double
Dim centerY As Double
centerX = 0
centerY = 0
Dim offsetX As Double
Dim offsetY As Double
offsetX = 0
offsetY = 0
'绘制wafer圆形
Dim waferCircle As AcadCircle
Set waferCircle = ThisDrawing.ModelSpace.AddCircle(CoordToPoint(centerX, centerY), waferSize / 2)
'计算wafer map的行列数
Dim rowCount As Integer
Dim colCount As Integer
rowCount = Application.WorksheetFunction.Floor((waferSize - 2 * offsetX) / dieSize, 1)
colCount = Application.WorksheetFunction.Floor((waferSize - 2 * offsetY) / dieSize, 1)
'绘制每个die
Dim i As Integer
Dim j As Integer
For i = 1 To rowCount
For j = 1 To colCount
Dim dieCenterX As Double
Dim dieCenterY As Double
dieCenterX = offsetX + (i - 0.5) * dieSize
dieCenterY = offsetY + (j - 0.5) * dieSize
Dim die As AcadCircle
Set die = ThisDrawing.ModelSpace.AddCircle(CoordToPoint(dieCenterX, dieCenterY), dieSize / 2)
Next j
Next i
'输出gross die per wafer数量
MsgBox "Gross die per wafer: " & grossDiePerWafer
End Sub
'将坐标值转换为AutoCAD的点坐标
Function CoordToPoint(ByVal x As Double, ByVal y As Double) As Variant
Dim point(0 To 2) As Double
point(0) = x
point(1) = y
CoordToPoint = point
End Function
```
这段代码会在AutoCAD中绘制一个指定大小的wafer,并在wafer上绘制一系列指定大小的die。同时,它会计算每个wafer的gross die数量,并弹出一个消息框显示gross die per wafer的数量。
需要注意的是,这段代码仅作为示例,您需要根据您的具体需求进行修改和完善。同时,由于自动化绘图和计算gross die数量可能会占用大量计算资源,您需要谨慎使用,并确保您的机器具有足够的性能。
de-embedding on-wafer photodiode
在芯片上进行去嵌入(on-wafer)光电二极管(de-embedding)是一种技术,用于从整个器件结构中提取出光电二极管的电学性能。这项技术对于光电二极管的设计和优化非常重要。
为了实现On-Wafer光电二极管的去嵌入,需要一系列步骤。首先,我们需要在片上制作光电二极管结构。这个结构包括光电二极管的光吸收层、P-N结构和电极。接下来,我们需要在片上测试器件的反应特性,如电流-电压特性以及频率响应等。
然后,我们使用去嵌入技术从整个片上的器件结构中分离出光电二极管的特性,以便独立地获取其电学参数。这可以通过在测量中通过置入引线和接地等临时结构来实现。这样,在测量过程中,我们可以将光电二极管与其他组件分离,以获得准确的电学性能。
去嵌入的主要目的是为了消除芯片封装过程中可能引入的影响,例如导线电阻、电容等。这允许我们更好地了解光电二极管的真实性能,并为优化器件的设计提供准确的电学参数。
总结而言,On-Wafer光电二极管的去嵌入是一种重要的技术,用于提取光电二极管在芯片上的真实电学性能。通过去除芯片封装过程中引入的影响,我们可以准确地评估器件的性能,并优化其设计。