使用Fortran编程实现交错网格有限差分法计算二次电磁场，网格为非均匀网格，边界条件为dirichlet边界条件

确实，使用交错网格有限差分法（Staggered Grid Finite Difference Method）可以计算二次电磁场，而对于非均匀网格和Dirichlet边界条件，以下是一个使用Fortran编程实现的基本框架：

首先，你需要定义网格大小和边界条件。假设你的网格大小为nx * ny，其中nx和ny分别是x和y方向的网格点数。定义一个二维数组来存储电磁场：Ex(nx, ny)，Ey(nx, ny)，Hz(nx, ny)。

接下来，你需要初始化边界条件。对于Dirichlet边界条件，你可以将边界上的电场分量设置为指定的边界值。例如，如果左边界的电场Ex的边界值为E_left，则可以在循环中设置Ex(1, j) = E_left，其中j从1到ny。

然后，你可以在内部网格点上使用有限差分方法来计算电场和磁场的更新。对于非均匀网格，你需要考虑不同位置的网格间距。假设在x方向上，第i个网格点的间距为dx(i)，在y方向上，第j个网格点的间距为dy(j)。使用中心差分公式来计算电场和磁场的更新：

Ex(i, j) = Ex(i, j) + (dt / (eps(i, j) * dx(i))) * (Hz(i, j) - Hz(i-1, j))
Ey(i, j) = Ey(i, j) + (dt / (eps(i, j) * dy(j))) * (Hz(i, j) - Hz(i, j-1))
Hz(i, j) = Hz(i, j) + (dt / (mu(i, j))) * ((Ex(i, j+1) - Ex(i, j)) / dy(j) - (Ey(i+1, j) - Ey(i, j)) / dx(i))

其中，dt是时间步长，eps(i, j)和mu(i, j)分别是介质在第(i, j)个网格点的电容率和磁导率。

最后，你可以根据需要的时间步数进行循环迭代，以计算电磁场的演化。

请注意，以上只是一个基本的实现框架，你可能需要根据具体问题进行适当的修改和扩展。