trench termination是什么意思

Trench termination 是一种在半导体工艺中常见的电子器件结构。它用于将电场线分散并减小电场梯度，以避免电子器件中的电场浓度过高，从而影响器件性能和可靠性。这种结构通常用于功率器件和高压器件中，并且常见的应用包括MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）和IGBT（绝缘栅双极型晶体管）等。通过使用 trench termination 结构，可以提高器件的耐压能力和电场分布均匀性，从而提高器件的性能和可靠性。

相关问题

图像传感器中，capacity deep trench isolation的结构是指什么

Capacity deep trench isolation是一种CMOS图像传感器的制造工艺，它主要是为了解决图像传感器中的像素间串扰（crosstalk）问题而设计的。

在图像传感器中，像素之间的串扰会导致图像的失真和噪声增加。为了避免这种问题，制造工艺中使用了capacity deep trench isolation的结构。这种结构是通过在图像传感器晶片上开凿深达数百微米的沟槽，然后在沟槽中填充绝缘材料，从而将像素之间隔离开来。这种深沟槽的设计可以大大降低像素间的串扰，提高图像传感器的分辨率和信噪比。

此外，capacity deep trench isolation还可以增加像素的容量，从而提高图像传感器的灵敏度和动态范围。因此，它是一种非常重要的CMOS图像传感器制造工艺。

capacity deep trench isolation是如何增加像素的容量的

Capacity deep trench isolation不是直接增加像素的容量，而是通过增加像素的光电转换区域的面积来间接地增加像素的容量。

在CMOS图像传感器中，像素的光电转换区域通常由一个PN结组成。当光子进入这个区域时，它们会激发电子和空穴的运动，从而产生电荷。这些电荷随后会被收集并转换成数字信号，形成图像。

Capacity deep trench isolation通过在图像传感器晶片上开凿深达数百微米的沟槽，然后在沟槽中填充绝缘材料，从而将像素之间隔离开来。这种结构可以增加光电转换区域的面积，因为沟槽的填充材料会代替传统的浅型沟槽填充材料，从而使得光电转换区域的深度更深，面积更大。这样，每个像素可以收集更多的电荷，因此可以提高像素的灵敏度和动态范围。

因此，capacity deep trench isolation通过增加光电转换区域的面积来间接地增加像素的容量。这种技术可以提高图像传感器的性能，使其在低光条件下也能够拍摄清晰的图像。