INTEL FPGA实现DDR容量翻倍

时间: 2024-06-17 20:04:41 浏览: 14
INTEL FPGA实现DDR容量翻倍的方法主要是通过使用Memory Interface Generator (MIG) IP来实现。MIG IP是INTEL提供的一种IP核,可以自动生成与各种存储器接口的时序和控制信号。它支持多种标准和非标准的存储器,包括DDR2、DDR3、DDR4、LPDDR2、LPDDR3、LPDDR4等,并且支持多种不同的存储器容量。 为了实现DDR容量翻倍,可以将两个相同容量的DDR存储器连接在一起,通过MIG IP核生成的控制信号来控制两个存储器的读写操作。这样可以将两个存储器的容量合并成一个虚拟的存储器,实现DDR容量翻倍。
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FPGA实现DDR3

FPGA(Field-Programmable Gate Array)可以实现DDR3(Double Data Rate 3)内存。DDR3是一种内存规格,属于SDRAM(Synchronous Dynamic Random Access Memory)家族的内存产品。DDR3在DDR2的基础上实现了更高的性能和更低的电压。在FPGA中实现DDR3内存需要进行一些设置和分配。可以通过手工分配或导入现成的管脚分配文件来设置DDR3的数据、地址和控制信号的FPGA管脚分配和IO电平。 DDR3内部结构包括逻辑控制单元、行地址选通单元、内部存储阵列、bank控制逻辑单元、IO锁存和DM标记单元、数据读写驱动接口和列地址选择单元。这些模块共同协作完成DDR3的读写操作。在7系列FPGA芯片中,Xilinx提供了一个DDR控制的IP核,称为MIG IP控制器,方便用户通过MIG控制器读写DDR存储器。DDR3控制器包含用户接口模块(User interface Block)、存储器控制模块(Memory Controller)和DDR3的物理接口(Physical Layer)。通过使用vivado创建DDR3的MIG控制器,可以按照一定的步骤进行设置和配置。 总结就是,FPGA可以实现DDR3内存,需要进行管脚分配和设置,并可以利用MIG控制器进行读写操作。<span class="em">1</span><span class="em">2</span><span class="em">3</span> #### 引用[.reference_title] - *1* *2* *3* [FPGA读写DDR3](https://blog.csdn.net/csdnqiang/article/details/108081393)[target="_blank" data-report-click={"spm":"1018.2226.3001.9630","extra":{"utm_source":"vip_chatgpt_common_search_pc_result","utm_medium":"distribute.pc_search_result.none-task-cask-2~all~insert_cask~default-1-null.142^v93^chatsearchT3_2"}}] [.reference_item style="max-width: 100%"] [ .reference_list ]

FPGA的实现DDR3的代码

FPGA实现DDR3需要使用DDR3控制器IP核,并编写适当的代码进行配置和控制。以下是一个简单的FPGA实现DDR3的代码示例: 首先,需要定义DDR3控制器IP核的端口和信号,这些信号包括时钟信号、数据信号、控制信号等等。 ```verilog module DDR3_Controller( // Clock input clk, // Reset input rst_n, // DDR3 Ports // Address output reg [13:0] ddra, // Command/Control output reg [1:0] ddrcs_b, output reg [1:0] ddrcke, output reg [1:0] ddrwe_b, output reg [1:0] ddrctl, output reg [1:0] ddrclk_p, output reg [1:0] ddrclk_n, // Data inout [7:0] ddrdq, output reg [1:0] ddrdm, output reg [1:0] ddrdqsn, output reg [1:0] ddrdqsp ); ``` 然后,在代码中需要对DDR3控制器进行配置,设置时序、延迟和其他参数。这些参数可以在IP核的设置中进行配置,也可以直接在代码中进行设置。 ```verilog // Timing Parameters parameter tCK = 2.5; // Clock Period parameter tRCD = 13; // RAS to CAS Delay parameter tRP = 13; // Row Precharge Time parameter tRAS = 35; // Row Active Time parameter tWR = 15; // Write Recovery Time parameter tWTR = 7; // Write to Read Delay parameter tRRD = 6; // Row to Row Delay parameter tFAW = 30; // Four Activate Window parameter tRFC = 160; // Refresh Cycle Time parameter tREFI = 7800; // Refresh Interval parameter tCKE = 4; // Clock Enable Delay parameter tXP = 3; // Exit Powerdown Time parameter tMRD = 4; // Mode Register Set Time ... // Configuration Registers reg [2:0] mode_reg[7:0]; reg [2:0] odt_reg[7:0]; reg [2:0] drive_reg[7:0]; reg [2:0] dq_reg[7:0]; ... // DDR3 Initialization initial begin // Configure Mode Registers mode_reg[0] = 8'h43; // MR0 mode_reg[1] = 8'h18; // MR1 mode_reg[2] = 8'h0; // MR2 mode_reg[3] = 8'h40; // MR3 // Configure ODT odt_reg[0] = 3'b001; // RZQ/4 odt_reg[1] = 3'b001; // RZQ/4 odt_reg[2] = 3'b000; // RZQ/6 odt_reg[3] = 3'b000; // RZQ/6 odt_reg[4] = 3'b000; // RZQ/6 odt_reg[5] = 3'b000; // RZQ/6 odt_reg[6] = 3'b000; // RZQ/6 odt_reg[7] = 3'b000; // RZQ/6 // Configure Drive Strength drive_reg[0] = 3'b010; // RZQ/4 drive_reg[1] = 3'b010; // RZQ/4 drive_reg[2] = 3'b010; // RZQ/4 drive_reg[3] = 3'b010; // RZQ/4 drive_reg[4] = 3'b010; // RZQ/4 drive_reg[5] = 3'b010; // RZQ/4 drive_reg[6] = 3'b010; // RZQ/4 drive_reg[7] = 3'b010; // RZQ/4 // Configure DQ Delay dq_reg[0] = 3'b000; // RZQ/4 dq_reg[1] = 3'b000; // RZQ/4 dq_reg[2] = 3'b000; // RZQ/4 dq_reg[3] = 3'b000; // RZQ/4 dq_reg[4] = 3'b000; // RZQ/4 dq_reg[5] = 3'b000; // RZQ/4 dq_reg[6] = 3'b000; // RZQ/4 dq_reg[7] = 3'b000; // RZQ/4 // Initialize DDR3 Controller ddr3_init( .clk(clk), .rst_n(rst_n), .ddra(ddra), .ddrcs_b(ddrcs_b), .ddrcke(ddrcke), .ddrwe_b(ddrwe_b), .ddrctl(ddrctl), .ddrclk_p(ddrclk_p), .ddrclk_n(ddrclk_n), .ddrdq(ddrdq), .ddrdm(ddrdm), .ddrdqsn(ddrdqsn), .ddrdqsp(ddrdqsp), .mode_reg(mode_reg), .odt_reg(odt_reg), .drive_reg(drive_reg), .dq_reg(dq_reg) ); // Configure DDR3 Parameters ddr3_config( .clk(clk), .rst_n(rst_n), .ddra(ddra), .ddrcs_b(ddrcs_b), .ddrcke(ddrcke), .ddrwe_b(ddrwe_b), .ddrctl(ddrctl), .ddrclk_p(ddrclk_p), .ddrclk_n(ddrclk_n), .ddrdq(ddrdq), .ddrdm(ddrdm), .ddrdqsn(ddrdqsn), .ddrdqsp(ddrdqsp), .tCK(tCK), .tRCD(tRCD), .tRP(tRP), .tRAS(tRAS), .tWR(tWR), .tWTR(tWTR), .tRRD(tRRD), .tFAW(tFAW), .tRFC(tRFC), .tREFI(tREFI), .tCKE(tCKE), .tXP(tXP), .tMRD(tMRD) ); end ``` 最后,在代码中需要实现DDR3的读取和写入操作。这些操作需要遵循DDR3时序和延迟要求,以确保正确的数据传输。 ```verilog // DDR3 Read Operation always @(posedge clk) begin // Row Activate Command if (ddr_read_req && !ddr_read_active) begin ddrcs_b <= 2'b00; ddra <= ddr_read_addr[12:0]; ddrctl <= 2'b001; ddr_read_active <= 1; end // Column Read Command else if (ddr_read_active && ddrctl[1] && !ddr_read_col_done) begin ddra <= ddr_read_addr[8:0]; ddrctl <= 2'b101; ddr_read_col_done <= 1; end // Read Data else if (ddr_read_active && ddrctl[1] && ddr_read_col_done && !ddr_read_data_done) begin ddr_read_data <= ddrdq; ddrctl <= 2'b001; ddrcs_b <= 2'b11; ddr_read_active <= 0; ddr_read_col_done <= 0; ddr_read_data_done <= 1; end end // DDR3 Write Operation always @(posedge clk) begin // Row Activate Command if (ddr_write_req && !ddr_write_active) begin ddrcs_b <= 2'b00; ddra <= ddr_write_addr[12:0]; ddrctl <= 2'b011; ddr_write_active <= 1; end // Column Write Command else if (ddr_write_active && ddrctl[1] && !ddr_write_col_done) begin ddra <= ddr_write_addr[8:0]; ddrctl <= 2'b111; ddr_write_col_done <= 1; end // Write Data else if (ddr_write_active && ddrctl[1] && ddr_write_col_done) begin ddrdq <= ddr_write_data; ddrwe_b <= 2'b00; ddrctl <= 2'b011; ddrcs_b <= 2'b11; ddr_write_active <= 0; ddr_write_col_done <= 0; end end ``` 请注意,这只是一个简单的示例代码,实际的DDR3实现可能需要更多的控制信号和更复杂的代码来确保正确的数据传输和时序要求。

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