NS4150B D类音频功放芯片在设计时如何实现超低EMI特性并消除外部滤波器的需求？

NS4150B D类音频功放芯片采用了先进的调制技术来实现超低EMI特性，并且通过芯片内部的滤波设计，成功地消除了对外部滤波器的需求。在设计过程中，NS4150B采用了固定频率脉宽调制（FPWM）技术，这有助于减少开关频率的谐波能量，因此大幅度降低了EMI的辐射和敏感性。此外，它还集成了开关频率抖动技术，进一步平滑了EMI频率谱，使设计者能够在不增加外部滤波器的情况下，有效减少EMI干扰。

参考资源链接：[NS4150B超低EMI音频功放用户手册](https://wenku.csdn.net/doc/5sf5s2q5xs?spm=1055.2569.3001.10343)

为了在不使用外部滤波器的情况下维持音频质量，NS4150B在芯片设计上采取了多项措施。其中包括优化的功率MOSFET开关速度，减少了在开关动作时产生的EMI干扰；以及采用了高效的热管理设计，确保功放工作在适宜的温度下，减少热噪声对音频质量的影响。此外，芯片内部还包含了输出低通滤波器，用于进一步降低高频噪声。

在用户手册中，纳芯威科技还提供了详细的典型应用电路和设计建议，这有助于设计者理解和实现高效、低EMI的设计方案。在应用电路中，NS4150B通过内置的反馈机制，能够维持稳定的输出功率和优异的音频表现，同时也保证了电路的可靠性和耐用性。

因此，在设计使用NS4150B时，通过理解其内部工作原理，采用手册提供的电路图和设计指南，并确保按照推荐的参数进行布线和布局，就可以实现超低EMI且无需外部滤波器的音频功放设计。

参考资源链接：[NS4150B超低EMI音频功放用户手册](https://wenku.csdn.net/doc/5sf5s2q5xs?spm=1055.2569.3001.10343)