查资料，说明如何基于CZ法或FZ法及外延法制备高质量的应变硅晶圆片。

基于CZ法或FZ法及外延法制备高质量的应变硅晶圆片的具体步骤如下：

1. CZ法及FZ法生长单晶硅：CZ法和FZ法是两种常用的制备单晶硅的方法。CZ法通过向熔融硅中加入掺杂物，使硅晶体中形成p型或n型掺杂，然后在硅熔体表面悬挂一根细的晶体种子，通过旋转种子晶体和硅熔体之间的距离，使种子晶体慢慢生长，最终形成单晶硅。FZ法则是将纯度更高的硅棒放置在熔融硅中，通过高温烧结和拉制，使硅棒慢慢生长成为单晶硅。

2. 制备应变硅晶圆片：将生长好的单晶硅进行加工，加工成为应变硅晶圆片。具体的加工方式包括化学机械抛光CMP、薄片处理等。

3. 制备外延层：将应变硅晶圆片放置在反应炉中，通过化学气相沉积CVD或分子束外延MBE等方法，在晶圆片上生长外延层，形成应变硅晶圆片。外延层的材料可以是SiGe、SiC等。

4. 制备器件：将制备好的应变硅晶圆片用于器件制造，如晶体管、太阳能电池等。

需要注意的是，制备高质量的应变硅晶圆片需要严格控制制备过程中的各种参数，如温度、压力、流速等。同时，也需要使用高纯度的原材料，并对反应炉进行严格的清洗和维护。