电阻抗层析成像中,已知空场和满场的灵敏度矩阵及电压分布,用高斯牛顿法重建电导率图像的matlab代码

时间: 2023-07-16 16:13:35 浏览: 94
以下是一个简单的电阻抗层析成像的高斯牛顿法重建电导率图像的 MATLAB 代码示例: ```matlab % 已知空场和满场的灵敏度矩阵及电压分布 S0 = ... % 空场灵敏度矩阵 S1 = ... % 满场灵敏度矩阵 V0 = ... % 空场电压分布 V1 = ... % 满场电压分布 % 定义初始电导率图像 sigma = ones(size(S0, 2), 1); % 定义高斯牛顿法迭代次数和步长 maxIter = 100; alpha = 0.05; % 开始迭代 for i = 1:maxIter % 计算当前电导率图像下的预测电压分布 V_pred = S0 * sigma; % 计算残差 (满场电压分布 - 预测电压分布) r = V1 - V_pred; % 计算雅可比矩阵 (灵敏度矩阵 S0) J = S0; % 计算更新步长 delta_sigma = alpha * inv(J' * J) * J' * r; % 更新电导率图像 sigma = sigma + delta_sigma; end % 显示重建的电导率图像 imshow(reshape(sigma, [32, 32]), []) ``` 需要注意的是,这只是一个简单的示例代码,实际应用中可能需要对代码进行优化和改进,以提高重建精度和计算效率。
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电阻抗层析成像中,高斯牛顿算法的matlab代码

电阻抗层析成像(Electrical Impedance Tomography,EIT)是一种非侵入式的成像技术,其主要原理是通过测量物体内部的电阻抗分布来重建其内部结构。其中,高斯牛顿算法是一种用于求解EIT反问题的优化算法,其基本思想是将反问题转化为一个无约束的最小二乘问题,然后通过迭代优化来求解。 下面是一个简单的EIT高斯牛顿算法的Matlab代码示例: ```matlab % 生成模拟数据 n = 64; % 网格数量 p = 32; % 电极数量 sigma = 1; % 真实电导率 x_true = sigma * ones(n, 1); x_true(n/4+1:n/2) = 0.5 * sigma; x_true(n/2+1:3*n/4) = 2 * sigma; x_true(3*n/4+1:end) = 0.8 * sigma; A = getMeasurementMatrix(n, p); % 计算测量矩阵 b = A * x_true; % 计算测量数据 % 初始化算法参数 x = ones(n, 1); % 初始解 max_iter = 100; % 最大迭代次数 tol = 1e-6; % 收敛阈值 alpha = 1; % 正则化系数 % EIT高斯牛顿算法迭代 for iter = 1:max_iter % 计算雅可比矩阵 J = getJacobianMatrix(x); % 计算步长 delta = (J' * J + alpha * eye(n)) \ J' * (b - A * x); % 更新解 x = x + delta; % 判断收敛 if norm(delta) < tol break; end end % 绘制结果 figure; subplot(2, 1, 1); plot(x_true); title('真实电导率'); subplot(2, 1, 2); plot(x); title('重建电导率'); % 计算测量矩阵 function A = getMeasurementMatrix(n, p) A = zeros(p, n); for i = 1:p for j = 1:n if i == j || i == j+1 || i == j-1 A(i, j) = 1; end end end end % 计算雅可比矩阵 function J = getJacobianMatrix(x) n = length(x); J = zeros(n-2, n); for i = 2:n-1 J(i-1, i) = -(x(i+1) - x(i-1)) / 2; J(i-1, i-1) = (x(i+1) - x(i-1)) / 2; end end ``` 需要注意的是,上述代码仅为示例代码,实际使用时需要根据具体问题进行修改。

用迭代法将声源图像重建为电导率图像matlab源码

声源图像重建为电导率图像是电阻层析成像的问题,可以用迭代法求解。下面是一份基于迭代法的电阻层析成像的 matlab 源代码,供参考: ```matlab % 电导率层析成像的迭代法求解 % 初始化电导率分布 nx = 64; % x方向像素数 ny = 64; % y方向像素数 sigma = ones(nx, ny); % 初始化电导率分布为1 % 生成有限元网格 [X, Y] = meshgrid(1:nx, 1:ny); % 网格坐标 nodes = [X(:), Y(:)]; % 网格节点坐标 elements = delaunay(nodes); % 三角剖分 % 生成参考电阻率 rho_ref = 100; % 参考电阻率 voltage = ones(nx, ny); % 电极电势 [Uref, ~] = fem2d(nodes, elements, sigma, voltage, rho_ref); % 生成测量数据 meas = 0.05 * randn(nx, ny); % 测量数据误差 Umeas = Uref + meas; % 测量数据 % 迭代求解电导率分布 max_iter = 1000; % 最大迭代次数 tolerance = 1e-4; % 收敛精度 sigma_old = sigma; % 上一次的电导率分布 for iter = 1:max_iter % 计算灵敏度矩阵 [S, dU] = fem2d_sens(nodes, elements, sigma_old, voltage); % 计算电导率更新 dsigma = (S' * S) \ (S' * (Umeas(:) - Uref(:) - dU)); sigma_new = sigma_old + reshape(dsigma, [nx, ny]); % 判断是否收敛 if norm(sigma_new - sigma_old, 'fro') / norm(sigma_new, 'fro') < tolerance break; end % 更新电导率分布 sigma_old = sigma_new; end % 显示电导率分布 figure(); imagesc(sigma_new); title('Electric conductivity distribution'); colorbar(); % 有限元正演求解函数 function [U, J] = fem2d(nodes, elements, sigma, voltage, rho_ref) ne = size(elements, 1); % 单元数 np = size(nodes, 1); % 节点数 % 计算单元刚度矩阵 B = [ones(1, 3); nodes(elements)']; detB = abs(det(B)); C = inv(B); gradN = C(2:3, :); Ke = zeros(3, 3, ne); for i = 1:ne Ke(:, :, i) = detB(i) * sigma(elements(i)) * gradN(:, :, i)' * gradN(:, :, i); end % 组装全局刚度矩阵 I = repmat(elements(:), [1, 3]); J = repmat(elements(:)', [3, 1]); K = reshape(Ke, [9, ne]); K = sparse(I(:), J(:), K(:), np, np); % 计算节点电势 F = sparse(elements', 1, voltage(elements)', np, 1); U = K \ F; % 计算灵敏度矩阵 if nargout > 1 J = K \ speye(np); J = -rho_ref * J * diag(sigma) * J'; end end % 灵敏度矩阵计算函数 function [S, dU] = fem2d_sens(nodes, elements, sigma, voltage) ne = size(elements, 1); % 单元数 np = size(nodes, 1); % 节点数 % 计算单元刚度矩阵和节点电势梯度 B = [ones(1, 3); nodes(elements)']; detB = abs(det(B)); C = inv(B); gradN = C(2:3, :); Ke = zeros(3, 3, ne); dUe = zeros(2, 3, ne); for i = 1:ne Ke(:, :, i) = detB(i) * sigma(elements(i)) * gradN(:, :, i)' * gradN(:, :, i); dUe(:, :, i) = gradN(:, :, i) * voltage(elements(i), :); end % 组装全局刚度矩阵和电势梯度矩阵 I = repmat(elements(:), [1, 3]); J = repmat(elements(:)', [3, 1]); K = reshape(Ke, [9, ne]); K = sparse(I(:), J(:), K(:), np, np); dU = reshape(dUe, [6, ne]); dU = sparse(I(:), J(:), dU(:), np, size(voltage, 2)); % 计算灵敏度矩阵 S = K \ dU; end ``` 需要注意的是,这份代码只是一个简单的电导率层析成像的例子,实际应用中需要根据具体情况进行修改和调整。

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