电阻抗层析成像中,已知空场和满场的灵敏度矩阵及电压分布,用高斯牛顿法重建电导率图像的matlab代码
时间: 2023-07-16 16:13:35 浏览: 94
以下是一个简单的电阻抗层析成像的高斯牛顿法重建电导率图像的 MATLAB 代码示例:
```matlab
% 已知空场和满场的灵敏度矩阵及电压分布
S0 = ... % 空场灵敏度矩阵
S1 = ... % 满场灵敏度矩阵
V0 = ... % 空场电压分布
V1 = ... % 满场电压分布
% 定义初始电导率图像
sigma = ones(size(S0, 2), 1);
% 定义高斯牛顿法迭代次数和步长
maxIter = 100;
alpha = 0.05;
% 开始迭代
for i = 1:maxIter
% 计算当前电导率图像下的预测电压分布
V_pred = S0 * sigma;
% 计算残差 (满场电压分布 - 预测电压分布)
r = V1 - V_pred;
% 计算雅可比矩阵 (灵敏度矩阵 S0)
J = S0;
% 计算更新步长
delta_sigma = alpha * inv(J' * J) * J' * r;
% 更新电导率图像
sigma = sigma + delta_sigma;
end
% 显示重建的电导率图像
imshow(reshape(sigma, [32, 32]), [])
```
需要注意的是,这只是一个简单的示例代码,实际应用中可能需要对代码进行优化和改进,以提高重建精度和计算效率。
相关问题
电阻抗层析成像中,高斯牛顿算法的matlab代码
电阻抗层析成像(Electrical Impedance Tomography,EIT)是一种非侵入式的成像技术,其主要原理是通过测量物体内部的电阻抗分布来重建其内部结构。其中,高斯牛顿算法是一种用于求解EIT反问题的优化算法,其基本思想是将反问题转化为一个无约束的最小二乘问题,然后通过迭代优化来求解。
下面是一个简单的EIT高斯牛顿算法的Matlab代码示例:
```matlab
% 生成模拟数据
n = 64; % 网格数量
p = 32; % 电极数量
sigma = 1; % 真实电导率
x_true = sigma * ones(n, 1);
x_true(n/4+1:n/2) = 0.5 * sigma;
x_true(n/2+1:3*n/4) = 2 * sigma;
x_true(3*n/4+1:end) = 0.8 * sigma;
A = getMeasurementMatrix(n, p); % 计算测量矩阵
b = A * x_true; % 计算测量数据
% 初始化算法参数
x = ones(n, 1); % 初始解
max_iter = 100; % 最大迭代次数
tol = 1e-6; % 收敛阈值
alpha = 1; % 正则化系数
% EIT高斯牛顿算法迭代
for iter = 1:max_iter
% 计算雅可比矩阵
J = getJacobianMatrix(x);
% 计算步长
delta = (J' * J + alpha * eye(n)) \ J' * (b - A * x);
% 更新解
x = x + delta;
% 判断收敛
if norm(delta) < tol
break;
end
end
% 绘制结果
figure;
subplot(2, 1, 1);
plot(x_true);
title('真实电导率');
subplot(2, 1, 2);
plot(x);
title('重建电导率');
% 计算测量矩阵
function A = getMeasurementMatrix(n, p)
A = zeros(p, n);
for i = 1:p
for j = 1:n
if i == j || i == j+1 || i == j-1
A(i, j) = 1;
end
end
end
end
% 计算雅可比矩阵
function J = getJacobianMatrix(x)
n = length(x);
J = zeros(n-2, n);
for i = 2:n-1
J(i-1, i) = -(x(i+1) - x(i-1)) / 2;
J(i-1, i-1) = (x(i+1) - x(i-1)) / 2;
end
end
```
需要注意的是,上述代码仅为示例代码,实际使用时需要根据具体问题进行修改。
用迭代法将声源图像重建为电导率图像matlab源码
声源图像重建为电导率图像是电阻层析成像的问题,可以用迭代法求解。下面是一份基于迭代法的电阻层析成像的 matlab 源代码,供参考:
```matlab
% 电导率层析成像的迭代法求解
% 初始化电导率分布
nx = 64; % x方向像素数
ny = 64; % y方向像素数
sigma = ones(nx, ny); % 初始化电导率分布为1
% 生成有限元网格
[X, Y] = meshgrid(1:nx, 1:ny); % 网格坐标
nodes = [X(:), Y(:)]; % 网格节点坐标
elements = delaunay(nodes); % 三角剖分
% 生成参考电阻率
rho_ref = 100; % 参考电阻率
voltage = ones(nx, ny); % 电极电势
[Uref, ~] = fem2d(nodes, elements, sigma, voltage, rho_ref);
% 生成测量数据
meas = 0.05 * randn(nx, ny); % 测量数据误差
Umeas = Uref + meas; % 测量数据
% 迭代求解电导率分布
max_iter = 1000; % 最大迭代次数
tolerance = 1e-4; % 收敛精度
sigma_old = sigma; % 上一次的电导率分布
for iter = 1:max_iter
% 计算灵敏度矩阵
[S, dU] = fem2d_sens(nodes, elements, sigma_old, voltage);
% 计算电导率更新
dsigma = (S' * S) \ (S' * (Umeas(:) - Uref(:) - dU));
sigma_new = sigma_old + reshape(dsigma, [nx, ny]);
% 判断是否收敛
if norm(sigma_new - sigma_old, 'fro') / norm(sigma_new, 'fro') < tolerance
break;
end
% 更新电导率分布
sigma_old = sigma_new;
end
% 显示电导率分布
figure();
imagesc(sigma_new);
title('Electric conductivity distribution');
colorbar();
% 有限元正演求解函数
function [U, J] = fem2d(nodes, elements, sigma, voltage, rho_ref)
ne = size(elements, 1); % 单元数
np = size(nodes, 1); % 节点数
% 计算单元刚度矩阵
B = [ones(1, 3); nodes(elements)'];
detB = abs(det(B));
C = inv(B);
gradN = C(2:3, :);
Ke = zeros(3, 3, ne);
for i = 1:ne
Ke(:, :, i) = detB(i) * sigma(elements(i)) * gradN(:, :, i)' * gradN(:, :, i);
end
% 组装全局刚度矩阵
I = repmat(elements(:), [1, 3]);
J = repmat(elements(:)', [3, 1]);
K = reshape(Ke, [9, ne]);
K = sparse(I(:), J(:), K(:), np, np);
% 计算节点电势
F = sparse(elements', 1, voltage(elements)', np, 1);
U = K \ F;
% 计算灵敏度矩阵
if nargout > 1
J = K \ speye(np);
J = -rho_ref * J * diag(sigma) * J';
end
end
% 灵敏度矩阵计算函数
function [S, dU] = fem2d_sens(nodes, elements, sigma, voltage)
ne = size(elements, 1); % 单元数
np = size(nodes, 1); % 节点数
% 计算单元刚度矩阵和节点电势梯度
B = [ones(1, 3); nodes(elements)'];
detB = abs(det(B));
C = inv(B);
gradN = C(2:3, :);
Ke = zeros(3, 3, ne);
dUe = zeros(2, 3, ne);
for i = 1:ne
Ke(:, :, i) = detB(i) * sigma(elements(i)) * gradN(:, :, i)' * gradN(:, :, i);
dUe(:, :, i) = gradN(:, :, i) * voltage(elements(i), :);
end
% 组装全局刚度矩阵和电势梯度矩阵
I = repmat(elements(:), [1, 3]);
J = repmat(elements(:)', [3, 1]);
K = reshape(Ke, [9, ne]);
K = sparse(I(:), J(:), K(:), np, np);
dU = reshape(dUe, [6, ne]);
dU = sparse(I(:), J(:), dU(:), np, size(voltage, 2));
% 计算灵敏度矩阵
S = K \ dU;
end
```
需要注意的是,这份代码只是一个简单的电导率层析成像的例子,实际应用中需要根据具体情况进行修改和调整。