STM32F4xx内部flash读写编写思路与

方法是什么？

对于STM32F4xx内部flash读写，一般采用以下方法：

1. 配置Flash地址和数据长度
2. 启动Flash编程模式
3. 擦除Flash页（页大小为2 KB）
4. 写入数据
5. 禁止Flash编程模式

具体实现代码如下：

#define ADDR_FLASH_SECTOR_1     ((uint32_t)0x08004000)   //Sector1 Start Address (16KB)

uint32_t StartSector = 0, EndSector = 0, SectorCounter = 0;
FLASH_EraseInitTypeDef FlashEraseInit;
uint32_t PageError = 0;

// 获取Flash范围
StartSector = GetSector(ADDR_FLASH_SECTOR_1);
EndSector = GetSector(ADDR_FLASH_END);

// 配置Flash编程模式
HAL_FLASH_Unlock();
__HAL_FLASH_CLEAR_FLAG(FLASH_FLAG_EOP | FLASH_FLAG_OPERR | FLASH_FLAG_WRPERR | FLASH_FLAG_PGAERR | FLASH_FLAG_PGPERR | FLASH_FLAG_PGSERR);
FlashEraseInit.TypeErase = FLASH_TYPEERASE_SECTORS;
FlashEraseInit.Sector = StartSector;
FlashEraseInit.NbSectors = EndSector - StartSector + 1;
FlashEraseInit.VoltageRange = FLASH_VOLTAGE_RANGE_3; // 选取适当的电压范围
HAL_FLASHEx_Erase(&FlashEraseInit, &PageError);

// 写入Flash数据
uint32_t Address = ADDR_FLASH_SECTOR_1;
for (uint32_t i=0; i<Len; i+=4)
{
  if (HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_WORD, Address, *(uint32_t *)Data) == HAL_OK)
  {
    Address += 4;
  }
  else
  {
    // 写入Flash失败，需要处理错误
    break;
  }
}

// 禁止Flash编程模式
HAL_FLASH_Lock();

其中，`GetSector` 函数用于获取指定地址所在的 Flash 扇区，具体实现可以查找 STM32F4xx 数据手册。`ADDR_FLASH_END` 为 Flash 结束地址，`Len` 和 `Data` 分别为要写入的数据长度和数据指针。在写入 Flash 时，应将数据长度按 flash 页大小进行分段写入。如果出现写入失败情况，需要对错误进行处理，比如重试或直接放弃写入。