半导体电性中 IDR 是什么

IDR 通常指的是 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的漏电流（Drain Current），也称为漏极电流。MOSFET 是一种常用的半导体器件，它的漏电流是指从漏极流出的电流，也就是器件的输出电流。IDR 是漏电流的缩写，通常用于描述器件在不同工作状态下的漏电流水平。在 MOSFET 设计与测试中，漏电流是一个非常重要的指标，它会影响器件的功耗、速度、噪声等性能。因此，对 MOSFET 的漏电流特性进行研究和优化是半导体器件设计和制造过程中的重要任务之一。