如何区分和理解静态RAM（SRAM）和动态RAM（DRAM）在微机系统中的应用及其工作原理？

在微机系统中，静态RAM（SRAM）和动态RAM（DRAM）是两种常见的RAM类型，它们在工作原理和应用上存在显著差异。SRAM基于触发器构建，不需要刷新就能保持数据，而DRAM则需要周期性地刷新以维持数据。静态RAM具有高速度和低密度的特点，通常用于缓存（Cache）；动态RAM则因为可以实现更高的存储密度和成本效益，在主内存中广泛使用。

参考资源链接：[微机原理：第6章 RAM与ROM存储器详解](https://wenku.csdn.net/doc/5navp35j0c?spm=1055.2569.3001.10343)

Intel 6116是SRAM的一个实例，它拥有2K×8位的存储容量，通过11根地址线来选择存储单元。其工作原理是在CS（片选）和OE（输出允许）都为低电平时，WE（写使能）为高电平时进行数据读取；而数据写入则要求CS为低电平，OE为高电平，WE为低电平。

在DRAM中，如Intel 2764这类EPROM芯片，其存储单元由单一晶体管和电容组成，电容存储电荷代表数据。由于电容会随时间泄漏，DRAM需要定期刷新。DRAM的地址线数量较多，以支持较大的存储容量，如13条地址线，与8条数据线配合工作。读写操作通常涉及VCC、VPP电源线和不同的控制线如CE、OE和PGM。

为了更深入地理解这两种存储器的工作机制，建议查阅《微机原理：第6章 RAM与ROM存储器详解》。这本PPT课件详细讲解了存储器的基本概念，如Intel 2114和Intel 6264存储单元的计算方法，以及如何通过控制线实现对SRAM和DRAM的操作。通过学习这些内容，可以更好地掌握存储器芯片的选择和使用，为微处理器系统中的内存接口设计打下坚实的基础。

参考资源链接：[微机原理：第6章 RAM与ROM存储器详解](https://wenku.csdn.net/doc/5navp35j0c?spm=1055.2569.3001.10343)