某晶体管在f=15MHZ时，测得β=10，则fT

晶体管的截止频率fT是指其高频放大能力的上限，即当频率大于fT时，晶体管的放大能力急剧下降。一般来说，晶体管的截止频率与其放大系数β有关，可以使用以下公式来计算：

fT = β × ft

其中，ft是晶体管的最高频率系数，通常在数据手册中给出。根据题目中给出的数据，β为10，因此我们只需要知道ft的值就可以计算出fT。

另外需要注意的是，晶体管的最高频率系数ft通常是以GHz为单位给出的，因此在计算时需要将其转换为MHz。

假设ft=30GHz，则有：

fT = β × ft = 10 × 30GHz = 300MHz

因此，当β为10且ft为30GHz时，该晶体管的截止频率fT为300MHz。

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某晶体管在f=15MHZ时，测得β=10，则fT为多少

晶体管的截止频率fT是指其高频放大能力的上限，即当频率大于fT时，晶体管的放大能力急剧下降。一般来说，晶体管的截止频率与其放大系数β有关，可以使用以下公式来计算：

fT = β × ft

其中，ft是晶体管的最高频率系数，通常在数据手册中给出。根据题目中给出的数据，β为10，因此我们只需要知道ft的值就可以计算出fT。

另外需要注意的是，晶体管的最高频率系数ft通常是以GHz为单位给出的，因此在计算时需要将其转换为MHz。

假设ft=30GHz，则有：

fT = β × ft = 10 × 30GHz = 300GHz

因此，当β为10且ft为30GHz时，该晶体管的截止频率fT为300GHz。

已知两个晶体管的β=50Ubeq🟰0.7V,Ic Ib求放大电路的静态工作点

首先，我们需要确定放大电路的拓扑结构（比如共射、共基或者共集），然后才能计算静态工作点。这里我以共射放大电路为例。

共射放大电路的静态工作点由输入电压（Vin）、输出电压（Vout）和直流电源电压（Vcc）决定。我们需要根据这些参数计算出电路中晶体管的IB和IC，从而确定静态工作点。

假设Vin=0V，Vcc=10V，Vout=5V，根据基本的二极管公式，我们可以计算出晶体管的IB：

IB = (Vcc - Vbe) / [(β + 1) * Rb]

其中，Vbe是基极发射极间的电压，一般取0.7V；β是晶体管的放大倍数；Rb是基极电阻。

假设Rb=1kΩ，则IB=4.3μA。

根据晶体管的放大倍数β=50，我们可以计算出晶体管的IC：

IC = β * IB = 215μA

接下来，我们需要确定静态工作点的电压。根据基本的放大电路公式，我们可以计算出静态工作点的集电极电压（VCE）和基极电压（VBE）：

VCE = Vcc - IC * RC

VBE = Vcc - Vin * R1 - IB * Rb

其中，RC是集电极电阻；R1是输入电阻。

假设RC=2.2kΩ，R1=10kΩ，则VCE=6.68V，VBE=0.03V。

因此，这个共射放大电路的静态工作点为：IC=215μA，VCE=6.68V，VBE=0.03V。