与理想bjt相比,基区非均匀掺杂,对bjt电流增益有什么影响
时间: 2024-04-04 19:35:17 浏览: 246
局部掺杂调制可提高GaN基发光二极管的量子效率
BJT的基区非均匀掺杂会影响其电流增益,主要有以下两个方面的影响:
1. 减小电流增益:基区非均匀掺杂会导致电子和空穴在基区中的分布不均匀,使得部分电子和空穴流失到集电区和发射区,从而减小了电流增益。
2. 增加漏电流:基区非均匀掺杂会导致漏电流的增加,这是因为在非均匀掺杂的区域中,电子和空穴会出现扩散漂移,从而在基区中形成空穴和电子的浓度梯度,进而产生漏电流。
因此,基区非均匀掺杂会对BJT的电流增益产生负面影响,降低器件性能。在制造BJT时,需要尽可能地优化工艺参数,以减小基区掺杂的非均匀性,从而提高器件的电流增益。
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